[發明專利]一種光耦合器在審
| 申請號： | 201910832376.1 | 申請日： | 2019-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN110581704A | 公開（公告）日： | 2019-12-17 |
| 發明（設計）人： | 丁東民;張武安;陳學禮;李寶杰;王亞萍;楊拓 | 申請（專利權）人： | 華潤半導體(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0175 | 分類號： | H03K19/0175;H03K17/795 |
| 代理公司： | 11257 北京正理專利代理有限公司 | 代理人： | 張雪梅 |
| 地址： | 518040 廣東省深圳市福田*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電流放大電路 發光二極管 光檢測電路 光敏三極管 電流泄放 光耦合器 恢復電流 檢測電路 輸出電流 關斷 泄放 放大 配置 | ||
1.一種光耦合器，包括由發光二極管和光敏三極管構成的光檢測電路，其特征在于，還包括：電流放大電路，配置成對所述光檢測電路的輸出電流進行放大，
其中，所述電流放大電路包括用于泄放自身關斷恢復電流的電流泄放通路。
2.如權利要求1所述的光耦合器，其特征在于，所述電流放大電路包括第一端、第二端和第三端，所述第一端與所述光檢測電路連接以使所述光檢測電路的輸出電流流經所述電流放大電路，所述第二端作為所述光耦合器的輸出端，所述第三端作為偏置電位連接端，在所述第一端與所述第三端之間連接的電阻器作為所述電流泄放通路。
3.如權利要求2所述的光耦合器，其特征在于，所述電流放大電路包括NPN晶體管，所述NPN晶體管的基極作為所述第一端、集電極作為所述第二端、發射極作為所述第三端，其中，所述NPN晶體管的基極與所述光敏三極管的發射極連接。
4.如權利要求2所述的光耦合器，其特征在于，所述電流放大電路包括PNP晶體管，所述PNP晶體管的基極作為所述第一端、發射極作為所述第二端、集電極作為所述第三端，其中，所述PNP晶體管的基極與所述光敏三極管的集電極連接。
5.如所述權利要求2至4中任意一項所述的光耦合器，其特征在于，當所述流經所述光檢測電路的輸出電流變化范圍為3mA-20mA時，所述電阻器的阻值范圍設置為200Ω-1000Ω。
6.如權利要求3所述的光耦合器，其特征在于，所述NPN晶體管為高速開關管。
7.如權利要求3所述的光耦合器，其特征在于，PNP晶體管為高速開關管。
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