[發明專利]一種基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201910832257.6
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號: CN110600626A
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 湯勇;曹凱;李宗濤;唐雪婷;伍科健;余彬海;丁鑫銳
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 44245 廣州市華學知識產權代理有限公司
• 代理人: 林梅繁

1.一種基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發光器件，其特征在于，包括：依次設置的印刷線路板、負極、電子傳輸層、鈣鈦礦發光層、空穴傳輸層、正極和玻璃封裝層，印刷線路板上預留有發光區域，在發光區域上制備有負極、電子傳輸層、鈣鈦礦發光層、空穴傳輸層和正極，發光區域四周包覆有絕緣保護層和紫外固化膠層，玻璃封裝層與印刷線路板正極連接。

2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電致發光器件，其特征在于，所述負極材料包括Al、LiF\Al、Ag、LiF\Ag、碳納米管的一種或多種，負極厚度為100nm-1μm。

3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電致發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層材料包括納米氧化鋅、鎂摻雜納米氧化鋅的一種或多種，電子傳輸層的厚度為25nm-50nm。

4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電致發光器件，其特征在于，所述鈣鈦礦發光層材料包括MAPbBr3、CsPbBr3、FAPbBr3的一種或采用上述材料的不同比例的混合物，鈣鈦礦發光層厚度范圍為50nm-3μm。

5.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸材料包括PVK、PolyTPD、TAPC、TCTA、CuSCN和CuI中的一種或多種，空穴傳輸層厚度范圍為25nm-50nm。

6.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電致發光器件，其特征在于，所述正極材料具有高透光率和高導電性，正極的厚度范圍為100nm-400nm。

7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電致發光器件，其特征在于，所述絕緣層的材料為絕緣膠帶、絕緣漆、絕緣油墨的一種或多種，絕緣層的厚度為300nm-4.5μm，寬度范圍為0.5cm-2cm。

8.根據權利要求1所述的鈣鈦礦電致發光器件，其特征在于，所述基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發光器件包括基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發光綠光器件和基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發光RGB器件。

9.根據權利要求8所述的鈣鈦礦電致發光器件，其特征在于，所述基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發光RGB器件在印刷線路板包括紅色、綠色和藍色三種鈣鈦礦LED，R、G、B的正極與印刷線路板正極連接，R、G、B的負極與印刷線路板負極連接。

10.一種基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發光器件制備方法，其特征在于，包括步驟：

印刷線路板的制備和表面處理：先用腐蝕方法制備印刷線路板的線路并預設發光區域，然后對印刷線路板進行超聲清洗處理，再用紫外-臭氧光清洗或等離子體清洗的方式提高印刷線路板表面親水性；

負極的制備：先將線路板轉移至掩膜板中，用蒸鍍法制備負極，其中掩膜板的開孔位置應與線路板預設的發光區域重合；

電子傳輸層的制備：用旋涂法或蒸鍍法制備電子傳輸層；

鈣鈦礦發光層的制備：用旋涂法或印刷法制備鈣鈦礦發光層；

空穴傳輸層的制備：用旋涂法或蒸鍍法制備空穴傳輸層；

正極的制備：首先在發光區域四周包覆一層絕緣層，再用蒸鍍法或印刷法制備正極；

導電玻璃封裝層的制備：首先在發光區域四周均勻涂覆紫外固化膠，然后蓋上透明導電玻璃并抽真空壓緊，透明導電玻璃與正極緊密接觸，最后將透明導電玻璃與印刷線路板正極連接。