[發明專利]一種光連接模組及其制備方法

在審

• 申請號: 201910832123.4
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號: CN110572211A
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 蘇州辰睿光電有限公司
• 主分類號: H04B10/25
• 分類號: H04B10/25;H01L25/16;G02B6/42
• 代理公司: 11250 北京三聚陽光知識產權代理有限公司
• 代理人: 唐巖

1.一種光連接模組，其特征在于，包括：

傳輸芯片(1)；

接收芯片(2)，與所述傳輸芯片(1)平行間隔設置；

反射鏡(3)，位于所述傳輸芯片(1)和所述接收芯片(2)間的中軸線的正上方；

其中，所述傳輸芯片(1)包括朝向所述反射鏡(3)傾斜設置的發射部(11)，所述接收芯片(2)包括朝向所述反射鏡(3)傾斜設置的接收部(21)，所述發射部(11)發出的光線經所述反射鏡(3)一次反射后被所述接收部(21)接收。

2.根據權利要求1所述的一種光連接模組，其特征在于，所述傳輸芯片(1)還包括第一襯底(12)和覆蓋于所述第一襯底(12)上方的第一覆蓋層(13)，所述發射部(11)位于所述第一覆蓋層(13)靠近所述接收芯片(2)的端部。

3.根據權利要求2所述的一種光連接模組，其特征在于，所述第一覆蓋層(13)包括第一可腐蝕層(131)和覆蓋于所述第一可腐蝕層(131)上方的第一外延層(132)，所述第一外延層(132)的至少一側端部延伸出所述第一可腐蝕層(131)，所述第一外延層(132)延伸出所述第一可腐蝕層(131)一端的端部朝向所述反射鏡(3)傾斜設置，以形成所述發射部(11)。

4.根據權利要求3所述的一種光連接模組，其特征在于，所述接收芯片(2)還包括第二襯底(22)和覆蓋于所述第二襯底(22)上方的第二覆蓋層(23)，所述接收部(21)位于所述第二覆蓋層(23)靠近所述傳輸芯片(1)的端部。

5.根據權利要求4所述的一種光連接模組，其特征在于，所述第二覆蓋層(23)包括第二可腐蝕層(231)和覆蓋于所述第二可腐蝕層(231)上方的第二外延層(232)，所述第二外延層(232)的至少一側端部延伸出所述第二可腐蝕層(231)，所述第二外延層(232)延伸出所述第二可腐蝕層(231)一端的端部朝向所述反射鏡(3)傾斜設置，以形成所述接收部(21)。

6.根據權利要求5所述的一種光連接模組，其特征在于，所述第一可腐蝕層(131)及所述第二可腐蝕層(231)包括AlAs/GaAs或AlGaAs/GaAs或InGaAs/InP。

7.根據權利要求6所述的一種光連接模組，其特征在于，所述第一可腐蝕層(131)與所述第二可腐蝕層(231)的厚度均為20-25nm。

8.一種光連接模組的制備方法，其特征在于，基于權利要求1-7所述的光連接模組，包括以下步驟：

S1、制作傳輸芯片(1)：選擇第一襯底(12)，然后在所述第一襯底(12)上生長第一可腐蝕層(131)，并在所述第一可腐蝕層(131)上生長第一外延層(132)，隨之通過濕法刻蝕在所述第一外延層(132)一側端部形成發射部(11)，最后對所述第一可腐蝕層(131)進行腐蝕，以腐蝕位于所述發射部(11)底部的所述第一可腐蝕層(131)，使得所述發射部(11)傾斜設置；

S2、制作接收芯片(2)：選擇第二襯底(22)，然后在所述第二襯底(22)上生長第二可腐蝕層(231)，并在所述第二可腐蝕層(231)上生長第二外延層(232)，隨之通過濕法刻蝕在所述第二外延層(232)一側端部形成接收部(21)，最后對所述第二可腐蝕層(231)進行腐蝕，以腐蝕位于所述接收部(21)底部的所述第二可腐蝕層(231)，使得所述接收部(21)傾斜設置；

S3、將所述傳輸芯片(1)、接收芯片(2)平行間隔排布，使得所述發射部(11)與所述接收部(21)相對設置；

S4、將反射鏡(3)同傳輸芯片(1)、接收芯片(2)之間進行可拆除方式固定，使之位于所述傳輸芯片(1)和所述接收芯片(2)間的中軸線的正上方，從而所述發射部(11)發出的光線經所述反射鏡(3)一次反射后被所述接收部(21)接收。

9.根據權利要求8所述的一種光連接模組的制備方法，其特征在于，所述步驟S1、S2中，所述第一可腐蝕層(131)與所述第二可腐蝕層(231)的厚度均為20-25nm。

10.根據權利要求9所述的一種光連接模組的制備方法，其特征在于，所述步驟S1、S2中，所述第一可腐蝕層(131)與所述第二可腐蝕層(231)的腐蝕時間為2-5min。