[發明專利]吸附器及利用其進行升溫的方法

在審

• 申請號: 201910832024.6
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號: CN110559795A
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 郭天宇;姚心;汪紹芬;石濤;嚴大洲;羅慧君
• 申請（專利權）人: 中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: B01D53/04
• 分類號: B01D53/04;B01J20/34;B01J20/30
• 代理公司: 11201 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 宋合成

本發明公開了一種吸附器及利用其進行升溫的方法，包括：吸附器主體，包括：吸附空間；上封頭，設有活性炭入口和氣體出口；外伴管，環吸附空間的外壁設置；下封頭，具有活性炭出口、多個開孔和多個待吸附氣體入口；承插式套管組件，包括：主管，包括內主管和外主管，支管，包括內支管和外支管，內支管與內主管垂直連通，外支管與外主管垂直連通；長平直管，包括長平直管內套管和長平直管外套管，長平直管內套管與內支管采用承插結構垂直連通，長平直管外套管與外支管垂直連通；換熱套管，包括換熱內套管和換熱外套管，換熱內套管與長平直管內套管采用承插結構垂直連通，換熱管外套管的一端與長平直管外套管垂直連通，換熱套管插入吸附器主體內部。

技術領域

本發明屬于活性炭再生技術領域，具體而言，本發明涉及吸附器及利用其進行升溫的方法。

背景技術

目前，多晶硅生產主要采用改良西門子法。在改良西門子法生產多晶硅的過程中，三氯氫硅與氫氣在高溫環境下(1050℃左右)發生反應，沉積生成多晶硅。因此，原料三氯氫硅和氫氣的純度直接決定產品多晶硅的品質。

國內外多晶硅廠多采用活性炭吸附的方式處理回收氫氣，主要是利用活性炭在低溫高壓的條件下去吸附回收氫氣中的雜質，待吸附飽和后，再通過高溫低壓的方式使活性炭再生，主要是通入高溫加熱介質去加熱活性炭并利用氫氣吹掃去實現。活性炭再生的徹底性直接關系到了回收氫氣中的硼、磷、碳、氧、氮及其它金屬雜質的去除率，關系到氫氣的純度。影響吸附劑再生的重要因素是活性炭吸附器內部結構形式。活性炭吸附器內部結構形式直接影響到內部的溫度場及熱傳導效率，進而影響活性炭吸附效果。然而經過實踐證明，通過改善活性炭吸附器的內部結構往往依然較難達到活性炭的再生溫度。

因此，現有活性炭再生的技術有待進一步改進。

發明內容

本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種吸附器及利用其進行升溫的方法。采用該吸附器不僅能有效降低熱源介質泄漏的風險，同時在外伴管內的第二熱介質和承插式套管組件內的第一熱介質的共同作用下，能有效提高吸附器主體內部的傳熱換熱效率，使吸附器內的溫度分布均勻。

在本發明的一個方面，本發明提出了一種吸附器，根據本發明的實施例，該吸附器包括：

吸附器主體，所述吸附器主體包括：

吸附空間；

上封頭，所述上封頭位于所述吸附器主體的上部，且與所述吸附空間的頂部相連，所述上封頭上設有活性炭入口和氣體出口；

外伴管，所述外伴管環所述吸附空間的外壁設置，所述外伴管具有第二熱介質入口和第二熱介質出口；

下封頭，所述下封頭位于所述吸附器主體的下部，且與所述吸附空間的底部相連，所述下封頭上具有活性炭出口、多個開孔和多個待吸附氣體入口；

承插式套管組件，所述承插式套管組件包括：

主管，所述主管包括內主管和外主管，所述內主管與所述外主管為內外套管式雙層結構，所述內主管具有第一熱介質入口，所述外主管具有第一熱介質出口，或所述外主管具有第一熱介質入口，所述內主管具有第一熱介質出口；

支管，所述支管包括內支管和外支管，所述內支管與所述外支管為內外套管式雙層結構，所述內支管與所述內主管垂直連通，所述外支管與所述外主管垂直連通；

長平直管，所述長平直管包括長平直管內套管和長平直管外套管，所述長平直管內套管與所述長平直管外套管為內外套管式雙層結構，所述長平直管內套管與所述內支管采用承插結構垂直連通，所述長平直管兩端設有第一管帽，所述長平直管外套管與所述外支管垂直連通；