[發明專利]一種變取向像素化線偏振出光有機發光二極管

有效

• 申請號: 201910831941.2
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號: CN110534663B
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 周雷;朱雨富;周廣宏;林毅
• 申請（專利權）人: 淮陰工學院
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張華蒙

1.一種變取向像素化線偏振出光有機發光二極管，其特征在于：包括由上至下依次設置的變取向像素化層(1)、基底(2)、第一傳輸層(3)、有機發光層(4)、第二傳輸層(5)和復合背電極(6)，所述的基底(2)為兩層結構疊合而成，其中一層的材質選自玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯的一種，另一層的材質為銦錫氧化物；在基底(2)上表面設置變取向像素化納米金屬光柵單元，組成變取向像素化層(1)，利用變取向像素化納米金屬光柵單元的偏振選擇性實現對全光譜無色散的偏振調控，變取向像素化納米金屬光柵單元的取向不同，從而實現了線偏振出光取向的不同；在所述的第一傳輸層(3)、有機發光層(4)、第二傳輸層(5)和復合背電極(6)上均分別設置相同取向一維納米光柵結構；所述的變取向像素化納米金屬光柵單元周期為100～220nm，占空比為0.3～0.6，槽深為60～120nm；所述的相同取向一維納米光柵結構為周期性陣列光柵，其周期為150～250nm，占空比為0.4～0.6，槽深為30～50nm。

2.根據權利要求1所述的一種變取向像素化線偏振出光有機發光二極管，其特征在于：所述的第一傳輸層(3)是由一種或幾種材料組成的疊層結構，材料選自PEDOT:PSS、氧化鋅、三氧化鉬、二氧化鈦、TmPyPB、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺和TCTA。

3.根據權利要求1所述的一種變取向像素化線偏振出光有機發光二極管，其特征在于：所述的有機發光層(4)是兩種摻雜組合而成，其一是選自2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲、三(8-羥基喹啉)鋁、CBP中的一種或幾種的摻雜，其二是選自2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、三(2-苯基吡啶)合銥、(乙酰丙酮)雙(2-甲基二苯并[f,h]喹喔啉)合銥、雙(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥、4-(二氰基甲撐)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃中的一種或幾種的摻雜。

4.根據權利要求1所述的一種變取向像素化線偏振出光有機發光二極管，其特征在于：所述第二傳輸層(5)是由一種或幾種材料組成的疊層結構，所述材料選自Alq3、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺和2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌中的一種或幾種。

5.根據權利要求1所述的一種變取向像素化線偏振出光有機發光二極管，其特征在于：所述的復合背電極(6)是兩層結構疊合而成，其中一層的材質選自LiF和MoO₃，另一層的材質選自金屬Al和金屬Ag。

6.根據權利要求1所述的一種變取向像素化線偏振出光有機發光二極管，其特征在于：所述的變取向像素化納米金屬光柵單元的取向變化范圍是0°到180°。

7.根據權利要求1所述的一種變取向像素化線偏振出光有機發光二極管，其特征在于：所述的變取向像素化納米金屬光柵單元的金屬材質為鋁，銀或者銅中的一種。