[發明專利]一種基于DTSCR的瞬態電壓抑制器

有效

• 申請號: 201910829300.3
• 申請日: 2019-09-03
• 公開（公告）號: CN110571215B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 張立國;孟慶曉;付博
• 申請（專利權）人: 深圳震有科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種基于DTSCR的瞬態電壓抑制器，其特征在于，包括P襯底，所述P襯底上依次設置有P阱、第一N阱、第二N阱和第三N阱，所述P阱與第一N阱相連，所述P阱、第一N阱、第二N阱和第三N阱上均設置有P+有源注入區和N+有源注入區，所述P阱與第一N阱之間還增設有第一有源注入區；

所述第一有源注入區為第一P+有源注入區或第一N+有源注入區；

所述第一有源注入區增設在所述P阱和第一N阱之間的STI隔離區處。

2.根據權利要求1所述的基于DTSCR的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述P阱上設置有第二P+有源注入區和第二N+有源注入區。

3.根據權利要求2所述的基于DTSCR的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述第二P+有源注入區上設置有第一金屬區，所述第二N+有源注入區上設置有第二金屬區；所述第二P+有源注入區和第二N+有源注入區分別通過所述第一金屬區和所述第二金屬區相連并接地。

4.根據權利要求3所述的基于DTSCR的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述第一N阱上設置有第三P+有源注入區和第三N+有源注入區。

5.根據權利要求4所述的基于DTSCR的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述第三P+有源注入區上設置有第三金屬區，所述第三N+有源注入區上設置有第四金屬區；所述第三P+有源注入區通過第三金屬區與靜電輸入端連接。

6.根據權利要求5所述的基于DTSCR的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述第二N阱上設置有第四P+有源注入區和第四N+有源注入區。

7.根據權利要求6所述的基于DTSCR的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述第四P+有源注入區上設置有第五金屬區，所述第四N+有源注入區上設置有第六金屬區；所述第三N+有源注入區與第四P+有源注入區通過所述第四金屬去和第五金屬區相連。

8.根據權利要求7所述的基于DTSCR的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述第三N阱上設置有第五P+有源注入區和第五N+有源注入區。

9.根據權利要求8所述的基于DTSCR的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述第五P+有源注入區上設置有第七金屬區，所述第五N+有源注入區上設置有第八金屬區；所述第四N+有源注入區與所述第五P+有源注入區通過所述第六金屬區和第七金屬區相連，所述第五N+有源注入區通過第八金屬區接地。