[發明專利]半導體邊緣光刻膠去除方法在審
| 申請號： | 201910829232.0 | 申請日： | 2019-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN110568730A | 公開（公告）日： | 2019-12-13 |
| 發明（設計）人： | 薛廣杰;胡華;李赟 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F7/42 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 邊緣區域 光刻膠層 有效區域 光刻膠殘留 曝光處理 曝光 邊緣光 膠去除 光罩 去除 包圍 覆蓋 | ||
1.一種半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，包括：
提供一待曝光半導體，所述半導體包含有效區域以及包圍所述有效區域的邊緣區域；
形成光刻膠層在所述半導體上，所述光刻膠層至少覆蓋所述半導體的邊緣區域；
在所述半導體上方設置一光罩，對所述半導體的邊緣區域進行曝光處理。
2.如權利要求1所述的半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，所述光罩位于所述半導體的正上方。
3.如權利要求1所述的半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，所述曝光處理的方法包括：提供曝光光源；采用所述曝光光源對所述半導體上的所述光刻膠層進行照射處理。
4.如權利要求3所述的半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，所述曝光光源位于所述光罩的正上方。
5.如權利要求3所述的半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，通過調整所述曝光光源、所述光罩以及所述半導體之間的距離來確定進行曝光的邊緣區域。
6.如權利要求1所述的半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，采用旋涂工藝在所述半導體上形成光刻膠層。
7.如權利要求1所述的半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，曝光之后還包括：顯影去除所述邊緣區域的光刻膠層。
8.如權利要求7所述的半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，顯影之后還包括：對所述半導體進行清洗處理，去除殘留的顯影劑。
9.如權利要求1-8任一所述的半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，所述半導體為晶圓，所述光罩呈圓形。
10.如權利要求9所述的半導體邊緣光刻膠去除方法，其特征在于，所述光罩的半徑為所述晶圓半徑的80％～90％。
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