[發明專利]一種基于中紅外漫反射光譜技術的β-HMX晶型純度檢測方法在審
| 申請號： | 201910829216.1 | 申請日： | 2019-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN110530817A | 公開（公告）日： | 2019-12-03 |
| 發明（設計）人： | 潘清;王明;蘇鵬飛;王民昌;陳智群 | 申請（專利權）人： | 西安近代化學研究所 |
| 主分類號： | G01N21/3563 | 分類號： | G01N21/3563 |
| 代理公司： | 11011 中國兵器工業集團公司專利中心 | 代理人： | 祁恒<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶型純度 紅外漫反射光譜 偏最小二乘法 化學計量學 技術結合 定量校正模型 校正模型 重疊光譜 多變量 寬譜帶 檢測 晶型 分析 測試 | ||
1.一種基于中紅外漫反射光譜技術結合化學計量學偏最小二乘法的β-HMX晶型純度的檢測方法，其特征在于，所述檢測方法包括以下步驟：
S1、校正集樣品的配制：配制一系列不同組分含量的β-HMX、α-HMX混合晶型樣品作為校正集樣品，β-HMX晶型純度按下式計算：
式中：ωβ為樣品中β-HMX晶型純度，以百分數表示；mβ為樣品中β-HMX晶型的稱樣質量；mα為樣品中α-HMX晶型的稱樣質量；
S2、校正集樣品的中紅外漫反射光譜采集：采用中紅外光譜儀結合漫反射光譜附件對校正集樣品進行光譜采集；
S3、β-HMX晶型純度定量校正模型的建立：對采集的中紅外漫反射光譜進行光譜預處理，采用偏最小二乘法建立中紅外漫反射光譜與β-HMX晶型純度之間的相關性，獲得β-HMX晶型純度定量校正模型；
S4、待測樣品的晶型純度檢測：基于建立的β-HMX晶型純度定量校正模型對待測樣品進行檢測，每個樣品平行測定兩次，取其平均值作為β-HMX晶型純度檢測結果。
2.如權利要求1所述的晶型純度檢測方法，其特征在于，在所述步驟S1中，校正集樣品的配制是采用濕法研磨、真空干燥的方式進行不同晶型組分的混合。
3.如權利要求2所述的晶型純度檢測方法，其特征在于，在所述步驟S1中，選擇色譜純正已烷作為濕法混合研磨試劑。
4.如權利要求1所述的晶型純度檢測方法，其特征在于，在所述步驟S2中，采用中紅外光譜儀結合漫反射光譜附件進行校正集樣品的光譜采集，并進行Kubelka-Munk校正；光譜掃描范圍4000cm-1～400cm-1，分辨率2cm-1，掃描次數128次。
5.如權利要求3所述的晶型純度檢測方法，其特征在于，在所述步驟S2中，樣品制備方法為稀釋法，樣品與稀釋劑溴化鉀的混合比例為1:100。
6.如權利要求1所述的晶型純度檢測方法，其特征在于，在所述步驟S3中，采用化學計量學方法建立β-HMX晶型純度定量校正模型，并基于此模型對待測樣品進行β-HMX晶型純度的檢測。
7.如權利要求1所述的晶型純度檢測方法，其特征在于，在所述步驟S3中，光譜預處理方法包括矢量歸一化、最小-最大歸一化、多元散射校正。
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