[發(fā)明專利]Ti-Ga-Sb相變材料、相變存儲器及Ti-Ga-Sb相變材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910828785.4 | 申請日： | 2019-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN110729400B | 公開（公告）日： | 2021-02-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐明;徐萌;繆向水 | 申請（專利權(quán)）人： | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武漢東喻專利代理事務(wù)所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | ti ga sb 相變 材料 存儲器 制備 方法 | ||
1.一種Ti-Ga-Sb相變材料，其特征在于，所述Ti-Ga-Sb相變材料為Ti，Sb，Ga元素組成的化學(xué)通式為TixGaySb100-x-y的材料；其中，x，y分別為原子個(gè)數(shù)百分比，且0＜x＜50，0＜y＜50，0＜x+y＜60。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ti-Ga-Sb相變材料，其中，x，y值的取值范圍為：10≤x≤y≤30。
3.一種相變存儲器，其利用權(quán)利要求1或2所述的Ti-Ga-Sb相變材料作為相變存儲材料，其特征在于，
所述Ti-Ga-Sb相變材料在所述相變存儲器中為厚度介于20～200nm之間的相變薄膜材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相變存儲器，其中，所述相變薄膜材料為Ti20Ga30Sb50相變薄膜材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的Ti-Ga-Sb相變材料，其中，所述Ti-Ga-Sb相變材料可采用磁控共濺射法、電子束蒸發(fā)法、氣相沉積法或者原子層沉積法制備而成。
6.一種Ti-Ga-Sb相變材料的制備方法，用于權(quán)利要求3或4所述相變存儲器中相變薄膜材料的制備，其采用磁控共濺射法制備，步驟如下，
S1：根據(jù)所述相變薄膜材料的尺寸選取相應(yīng)尺寸的濺射基片，并對其進(jìn)行清潔處理；
S2：分別準(zhǔn)備Ga-Sb合金靶和Ti單質(zhì)靶，并對應(yīng)設(shè)置兩靶材與所述濺射基片的位置；
S3：采用高純惰性氣體作為濺射氣體，并調(diào)節(jié)所述濺射氣體的流量和濺射氣壓；
S4：分別設(shè)定所述Ga-Sb合金靶和所述Ti單質(zhì)靶的濺射電源功率，采用雙靶共濺射法制備所述相變薄膜材料，并通過控制濺射時(shí)間來制得不同厚度的所述相變薄膜材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的Ti-Ga-Sb相變材料的制備方法，其中，所述Ga-Sb合金靶為Ga20Sb80合金靶、Ga30Sb70合金靶或者Ga40Sb60合金靶。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的Ti-Ga-Sb相變材料的制備方法，其中，在步驟S4中，所述Ga-Sb合金靶的濺射電源功率為30～40W，所述Ti單質(zhì)靶的濺射電源功率為3～10W。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的Ti-Ga-Sb相變材料的制備方法，其中，步驟S4中的濺射時(shí)間為2～15min。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的Ti-Ga-Sb相變材料的制備方法，其中，在步驟S4開始前，還進(jìn)行了所述Ga-Sb合金靶和所述Ti單質(zhì)靶的表面清潔過程，方法如下：
將空基托旋轉(zhuǎn)到對正所述Ga-Sb合金靶和所述Ti單質(zhì)靶的靶位，打開兩靶位的擋板，進(jìn)行預(yù)濺射5～10min。
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