[發(fā)明專利]氣體流量控制器的校準(zhǔn)方法、校準(zhǔn)系統(tǒng)及進(jìn)氣裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910828034.2 | 申請日: | 2019-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN110571171B | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓笑娜;姜宏偉;陳慶 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G05D7/06 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 流量 控制器 校準(zhǔn) 方法 系統(tǒng) 裝置 | ||
1.一種氣體流量控制器的校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
S1,接收用戶輸入的所述氣體流量控制器的氣體流量設(shè)定值,向所述氣體流量控制器輸出所述氣體流量設(shè)定值;
S2,通過氣體流量傳感器檢測所述氣體流量控制器所在管路的實(shí)際氣體流量值;
S3,判斷所述氣體流量設(shè)定值與所述實(shí)際氣體流量值的差值的絕對值是否小于或等于預(yù)設(shè)閾值;若是,根據(jù)預(yù)先建立的補(bǔ)償關(guān)系獲取與所述氣體流量設(shè)定值對應(yīng)的氣體流量補(bǔ)償值,并向所述氣體流量控制器輸出所述氣體流量補(bǔ)償值;若否,進(jìn)行報(bào)警;
其中,所述補(bǔ)償關(guān)系用于表示所述氣體流量控制器在其量程范圍內(nèi)的不同氣體流量設(shè)定值和與之一一對應(yīng)地氣體流量補(bǔ)償值的對應(yīng)關(guān)系;每個(gè)所述氣體流量補(bǔ)償值為使所述氣體流量控制器所在管路的實(shí)際氣體流量值等于所述氣體流量設(shè)定值時(shí),向所述氣體流量控制器輸出的實(shí)際氣體流量值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體流量控制器的校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述步驟S1,進(jìn)一步包括以下步驟:
S11,接收到用戶輸入的所述氣體流量控制器的所述氣體流量設(shè)定值,判斷所述氣體流量設(shè)定值是否在所述氣體流量控制器的量程范圍內(nèi);若是,執(zhí)行步驟S12;若否,結(jié)束流程;
S12:向所述氣體流量控制器輸出所述氣體流量設(shè)定值,執(zhí)行步驟S2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體流量控制器的校準(zhǔn)方法,其特征在于,通過以下步驟建立所述補(bǔ)償關(guān)系:
S01,按從小到大的順序依次在所述氣體流量控制器的量程范圍內(nèi)選取N個(gè)所述氣體流量設(shè)定值;
S02,通過所述氣體流量傳感器檢測與第i個(gè)所述氣體流量設(shè)定值相對應(yīng)的所述氣體流量控制器所在管路的實(shí)際氣體流量值,i=1,2,...,N,N為所述氣體流量設(shè)定值的總數(shù);
S03,計(jì)算第i個(gè)所述氣體流量設(shè)定值和與其對應(yīng)的所述實(shí)際氣體流量值的差值的絕對值,并判斷該差值的絕對值是否超過誤差允許范圍,若否,則調(diào)整所述氣體流量控制器輸出的氣體流量值,直至所述氣體流量控制器所在管路的實(shí)際氣體流量值等于第i個(gè)所述氣體流量設(shè)定值,并將此時(shí)所述氣體流量控制器輸出的氣體流量值設(shè)置為與第i個(gè)所述氣體流量設(shè)定值對應(yīng)的所述氣體流量補(bǔ)償值,且記錄;
S04,判斷i是否等于N,若是,則進(jìn)行步驟S05;若否,則使i=i+1,并返回所述步驟S02;
S05,根據(jù)N個(gè)所述氣體流量設(shè)定值和與之一一對應(yīng)的所述氣體流量補(bǔ)償值進(jìn)行線性擬合,獲得所述N個(gè)所述氣體流量設(shè)定值和與之一一對應(yīng)的所述氣體流量補(bǔ)償值之間的函數(shù)關(guān)系,將所述函數(shù)關(guān)系作為所述補(bǔ)償關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體流量控制器的校準(zhǔn)方法,其特征在于,在所述步驟S05中,采用最小二乘法的方式進(jìn)行線性擬合。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體流量控制器的校準(zhǔn)方法,其特征在于,第i個(gè)所述流量設(shè)定值的大小滿足以下公式:
S(i)=Smax*i/10
其中,S(i)為第i個(gè)所述流量設(shè)定值;Smax為所述氣體流量控制器的量程的最大流量值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體流量控制器的校準(zhǔn)方法,其特征在于,在所述步驟S2之后,且所述步驟S3之前,還包括步驟S4:
S4:向所述氣體流量控制器輸出取值為0的氣體流量值。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體流量控制器的校準(zhǔn)方法,其特征在于,在所述步驟S03中,若第i個(gè)所述氣體流量設(shè)定值和與其對應(yīng)的所述實(shí)際氣體流量值的差值的絕對值超過誤差允許范圍,則進(jìn)行報(bào)警。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





