[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910825765.1 | 申請日: | 2019-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN110600461B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曲林;葉潤清;馬富強;陳道鋒;孫亮權(quán);龍浩暉 | 申請(專利權(quán))人: | 榮耀終端有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518040 廣東省深圳市福田區(qū)香蜜湖街道*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 電子設(shè)備 | ||
1.一種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括第一基板、第一封裝層、附加層及連接部,所述第一封裝層封裝于所述第一基板上,所述附加層層疊于所述第一封裝層背離所述第一基板的一側(cè)并且與所述第一封裝層電連接,所述附加層通過所述連接部與所述第一封裝層固定;
所述第一基板及所述附加層的背離所述第一封裝層的一側(cè)均設(shè)有外接引腳,所述外接引腳用于與外界結(jié)構(gòu)電連接;
所述第一封裝層包括封裝材料層以及多個第三基板,內(nèi)嵌于所述封裝材料層內(nèi)的多根間隔設(shè)置的架高柱;多根所述架高柱中包括部分預(yù)成型的柱狀結(jié)構(gòu)的架高柱和部分位于所述第一封裝層的過孔內(nèi)的導(dǎo)電柱,預(yù)成型的柱狀結(jié)構(gòu)的所述架高柱與所述第三基板或所述第一基板通過焊料或者導(dǎo)電膠連接;
多個所述第三基板的表面設(shè)有元器件,所述第三基板與所述第一基板之間通過多根所述架高柱連接并電性導(dǎo)通,多個所述第三基板中的兩個所述第三基板在所述第一基板上的正投影不重合,所述第一基板的表面設(shè)有元器件,部分位于所述第一封裝層的過孔內(nèi)的導(dǎo)電柱的一端連接至在所述第一基板上的正投影不重合的兩個第三基板,另一端連接至設(shè)于所述第一基板上的所述元器件并與所述第一基板上的元器件電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述附加層包括第二基板,所述第二基板背離所述第一封裝層的一側(cè)設(shè)有所述外接引腳。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述附加層還包括第二封裝層,所述第二封裝層封裝于所述第二基板上,且所述第二封裝層位于所述第二基板靠近所述第一封裝層的一側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一封裝層包括內(nèi)嵌于所述封裝材料層內(nèi)的多個元器件,多塊所述第三基板中的至少兩塊所述基板在所述第一基板上的正投影部分重疊或全部重疊,所述第一基板上的正投影部分重疊或全部重疊的所述第三基板之間通過所述架高柱進行連接,多個所述元器件固定于所述第一基板或所述第三基板上。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一基板或者所述第三基板上固定有所述架高柱,所述架高柱背離所述第一基板或者第三基板的一端延伸至所述封裝材料層背離所述第一基板的表面;所述架高柱為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1至5任一項所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,多根所述架高柱中部分所述架高柱與所述第三基板一體成型。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,多根所述架高柱在所述封裝結(jié)構(gòu)的厚度方向上堆疊設(shè)置,堆疊設(shè)置的多根所述架高柱的類型不同。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述架高柱包括柱芯以及包覆于所述柱芯的外周面的包覆層,所述包覆層為導(dǎo)電材料,所述包覆層的外周面的粗糙度小于所述柱芯的外周面的粗糙度。
9.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述架高柱包括柱芯以及包覆于所述柱芯外周面的包覆層,所述柱芯采用導(dǎo)電材料形成,所述包覆層采用絕緣材料形成。
10.如權(quán)利要求1-5任一項所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)還包括間隔設(shè)置于所述第三基板上的多個凸起部,所述凸起部凸起于所述第三基板的表面,所述凸起部背離所述第三基板的端面與所述第一基板接觸;或者,所述凸起部背離所述第三基板的端面與同所述第三基板相對的另一所述第三基板接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凸起部為絕緣材料形成,所述凸起部內(nèi)嵌有多個間隔設(shè)置的導(dǎo)電柱,所述導(dǎo)電柱電連接所述第三基板以及與所述凸起部接觸的所述第一基板或者另一所述第三基板。
12.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二基板包括基板以及設(shè)于所述基板上的貼片天線,所述貼片天線通過所述基板與所述第一封裝層內(nèi)的部分元器件電連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件
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