[發明專利]刻蝕輔助裝置、晶圓刻蝕設備及優化晶圓刻蝕效果的方法

在審

• 申請號: 201910825488.4
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN112447547A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

該發明涉及一種刻蝕輔助裝置、晶圓刻蝕設備及優化晶圓刻蝕效果的方法，其中所述刻蝕輔助裝置用于輔助晶圓刻蝕，包括：隔片，用于設置到聚焦環所圍的區域內，使所述聚焦環內放置的晶圓與所述聚焦環之間的距離大于一預設值。本發明的刻蝕輔助裝置、晶圓刻蝕設備及優化晶圓刻蝕效果的方法能夠隔開聚焦環和晶圓，使聚焦環和晶圓之間大于預設值，不會影響所述晶圓的邊緣部分的溫度分布，能夠有效提高晶圓邊緣部分的均勻性，提高晶圓生產的良率。

技術領域

本發明涉及晶圓加工處理設備領域，具體涉及一種刻蝕輔助裝置、晶圓刻蝕設備及優化晶圓刻蝕效果的方法。

背景技術

現有技術中，當在刻蝕機臺對晶圓進行刻蝕時，晶圓的邊緣部分的均勻性很難控制，邊緣良率較低，不符合日益增長的晶圓需求。

發明內容

本發明的目的在于提供一種刻蝕輔助裝置、晶圓刻蝕設備及優化晶圓刻蝕效果的方法，能夠有效提高晶圓邊緣部分的均勻性，提高晶圓生產的良率。

為了解決上述技術問題，以下提供了一種刻蝕輔助裝置，用于輔助晶圓刻蝕，包括：隔片，用于設置到聚焦環所圍的區域內，使所述聚焦環內放置的晶圓與所述聚焦環之間的距離大于一預設值。

可選的，所述隔片呈圓環狀，當晶圓放置到晶圓放置臺，且晶圓中心與晶圓放置臺的中心重合時，所述隔片的寬度與所述晶圓和聚焦環之間的距離相等。

可選的，所述隔片的高度與所述晶圓的高度相同。

可選的，所述隔片為硅材質隔片、陶瓷材質隔片或金屬材質隔片中的至少一種。

為了解決上述技術問題，以下還提供了一種晶圓刻蝕設備，包括：所述刻蝕輔助裝置；晶圓放置臺，用于放置晶圓；聚焦環，環繞所述晶圓放置臺放置，用于將反應離子匯聚到所述晶圓放置臺表面，且所述聚焦環的尺寸大于待刻蝕的晶圓的尺寸；所述隔片設置到所述聚焦環所圍的區域內，用于使所述聚焦環內放置的晶圓與所述聚焦環之間的距離大于一預設值。

可選的，所述隔片呈圓環狀，所述晶圓放置臺為圓形晶圓放置臺，所述聚焦環的中線與所述晶圓放置臺的中線重合。

可選的，所述隔片的寬度為所述預設值。

可選的，當所述晶圓放置到所述晶圓放置臺表面，位于所述聚焦環內，且所述晶圓的中線與所述晶圓放置臺的中線重合時，所述晶圓的側邊與所述聚焦環的內圈之間的距離等于所述隔片的寬度。

可選的，所述晶圓放置臺為靜電吸盤，所述靜電吸盤的尺寸大于所述晶圓的尺寸，使所述聚焦環能夠放置到所述靜電吸盤表面。

可選的，當晶圓放置到所述晶圓放置臺，且晶圓的中線與所述晶圓放置臺的中線重合時，所述晶圓與所述晶圓放置臺之間的間隙完全被所述隔片覆蓋。

為了解決上述技術問題，以下還提供了一種優化晶圓刻蝕效果的方法，包括以下步驟：將晶圓放置到晶圓刻蝕機臺的刻蝕腔體內的晶圓放置臺表面，位于所述聚焦環所圍區域內；調整晶圓的位置，使晶圓與所述聚焦環之間的距離大于一預設值。

可選的，還包括以下步驟：遮擋所述晶圓與所述聚焦環之間的空隙。

可選的，還包括以下步驟：遮擋所述晶圓的側邊。

本發明的刻蝕輔助裝置、晶圓刻蝕設備及優化晶圓刻蝕效果的方法能夠隔開聚焦環和晶圓，使聚焦環和晶圓之間的距離大于預設值，不會影響所述晶圓的邊緣部分的溫度分布，能夠有效提高晶圓邊緣部分的均勻性，提高晶圓生產的良率。

附圖說明

圖1為本發明的一種具體實施方式中晶圓刻蝕設備的側視示意圖。

圖2為本發明的一種具體實施方式中晶圓刻蝕設備的俯視示意圖。

圖3為本發明的一種具體實施方式中優化晶圓刻蝕效果的方法的步驟流程示意圖。