[發(fā)明專利]電子芯片封裝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910823708.X
• 申請日: 2019-09-02
• 公開（公告）號: CN110875264A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設計）人: O·奧里;R·賈勒特
• 申請（專利權）人: 意法半導體(圖爾)公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

本發(fā)明涉及一種器件，包括支持件、覆蓋支持件的導電層、位于導電層上的半導體襯底和絕緣殼體。

技術領域

本公開涉及電子器件，并且更具體地，涉及包括容納在封裝中的電子芯片的電子器件。

背景技術

電子芯片通常由半導體襯底來限定，半導體襯底的內部和頂表面處定位有一個或多個互連部件(諸如晶體管)，用于形成芯片的電路。在特定應用(諸如靜電放電保護)中，芯片包括雪崩二極管。

通常地，芯片被容納在封裝中。封裝包括連接端子，通常用于焊接或錫焊至諸如PCB(“印刷電路板”)的印刷電路。對于包括緊湊地容納在封裝中的電子芯片的器件，通常使用CSP型封裝(“芯片級封裝”)，也就是說，該封裝占據較小的表面積，通常小于芯片襯底的1.2倍。

發(fā)明內容

一個或多個實施例的目的在于一種器件，其包括支持件、覆蓋支持件的導電層、位于導電層上的半導體襯底或芯片以及絕緣殼體。

根據一個實施例，該器件包括位于襯底內和襯底頂部上的電子部件。

根據一個實施例，導電層是金屬。

根據一個實施例，襯底包括限定雪崩二極管的電極的摻雜區(qū)域。

根據一個實施例，殼體限定CSP型封裝。

一個實施例提供了一種形成上述限定的器件的方法。

根據一個實施例，該方法包括同時形成多個上述限定的器件的步驟。

根據一個實施例，器件的襯底是同一半導體晶圓的部分。

根據一個實施例，該方法包括在半導體晶圓的后表面上形成導電層的步驟。

根據一個實施例，該方法包括在導電層的后表面?zhèn)壬喜贾弥С职宓牟襟E。

根據一個實施例，該方法包括形成界定襯底的溝槽的步驟，溝槽優(yōu)選達到位于支持板中的水平。

附圖說明

將在以下結合附圖的具體實施例的非限制性描述中詳細討論上述和其他特點和優(yōu)點。

圖1以示圖1A和示圖1B的截面圖和頂視圖示意性示出了在封裝中包括電子芯片的器件的實施例；

圖2是示意性示出了圖1的器件在操作中的示例的截面圖；

圖3示出了同時形成圖1的多個器件的方法的步驟3A至3D；以及

圖4示出了同時形成圖1的多個器件的方法的步驟4A至4C。

具體實施方式

在不同的附圖中，相同的元素用相同的參考標號表示。具體地，不同實施例共同的結構和/或功能元件可以用相同的參考標號指定，并且可以具有相同的結構、尺寸和材料特性。

為了清楚，僅示出了有助于理解所述實施例的那些步驟和元素并進行詳細說明。特別地，未示出電子芯片電路，所述實施例與當前芯片電路兼容。

貫穿本公開，術語“連接”用于指定電路元件之間的直接電連接，而術語“耦合”用于指定電路元件之間的電連接，其可以是直接的或者可以經由一個或多個中間元件(諸如電阻器、電容器、晶體管或緩沖器)。除非另有說明，否則當使用術語“耦合”時，可通過直接連接來實施連接。

在以下描述中，除了圖1B，當提及限定絕對位置的術語(諸如“上”、“下”、“左”、“右”等)或相對位置的術語(諸如“之上”、“之下”、“上部”、“下部”等)或限定方向的術語(諸如術語“水平”、“垂直”等)時，所指的是附圖的定向。

本文使用術語“約”、“基本”和“…的數量級”來指定所指值的正負10％、優(yōu)選正負5％的公差。