[發明專利]光激發式微型熱紅外線放射裝置在審
| 申請號： | 201910822603.2 | 申請日： | 2019-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN110891332A | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 謝正雄;廖怡鈞;陳介羿;林忠正;楊呈尉;張啟增 | 申請（專利權）人： | 神匠創意股份有限公司;光磊科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H05B1/02 | 分類號： | H05B1/02;H05B3/06 |
| 代理公司： | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人： | 張雅軍;史瞳 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激發 式微 紅外線 放射 裝置 | ||
1.一種光激發式微型熱紅外線放射裝置，其特征在于，所述光激發式微型熱紅外線放射裝置包含：
基板；
發光元件，設置于所述基板，并包括遠離所述基板的出光側；及
熱紅外線放射單元，設置于所述基板的對應所述發光元件處，并包括薄膜結構，所述薄膜結構具有緊鄰所述發光元件的出光側的光吸收膜層，所述光吸收膜層吸收所述發光元件發出的光線以升溫放射熱紅外線。
2.根據權利要求1所述的光激發式微型熱紅外線放射裝置，其特征在于：所述熱紅外線放射單元還包括設置于所述基板且形成容納所述發光元件的空腔的基座結構，所述薄膜結構設置于所述基座結構且覆蓋所述空腔及所述發光元件，并包括將所述光吸收膜層夾設于內的第一膜層及第二膜層。
3.根據權利要求2所述的光激發式微型熱紅外線放射裝置，其特征在于：所述光吸收膜層的材質選自多晶硅、碳化硅及氮化鎵的其中一者，所述第一膜層及所述第二膜層的材質選自氮化硅、碳化硅、氮化鎵、氧化鋯及氧化鎂的至少一者。
4.根據權利要求2所述的光激發式微型熱紅外線放射裝置，其特征在于：所述第一膜層及所述第二膜層于鄰近所述光吸收膜層的外緣貫穿形成至少一個用于阻隔熱傳導的鏤空部。
5.根據權利要求1所述的光激發式微型熱紅外線放射裝置，其特征在于：所述光吸收膜層的厚度不小于0.7微米。
6.根據權利要求1所述的光激發式微型熱紅外線放射裝置，其特征在于：所述發光元件為發光二極管晶粒或激光二極管晶粒。
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