[發明專利]光電晶體管及其制作方法在審
| 申請號: | 201910817838.2 | 申請日: | 2019-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN111883598A | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 柯秋壇 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/101;H01L31/18;H01L51/44 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 杜寒宇 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電晶體管 及其 制作方法 | ||
1.一種光電晶體管,其特征在于,包括基板、柵極層、柵極絕緣層以及有源層;所述柵極層設置在所述基板上,所述柵極絕緣層設置在所述柵極層遠離所述基板的一側,所述柵極絕緣層含有絕緣材料和光致變色材料,所述有源層設置在所述柵極絕緣層遠離所述柵極層的一側。
2.如權利要求1所述的光電晶體管,其特征在于,所述柵極絕緣層包括以所述絕緣材料為基體、并摻雜有所述光致變色材料的混合材料層。
3.如權利要求2所述的光電晶體管,其特征在于,在所述混合材料層中,所述絕緣材料和所述光致變色材料的質量之比為1:1~19:1。
4.如權利要求1所述的光電晶體管,其特征在于,所述柵極絕緣層包括絕緣材料層和光致變色材料層,所述光致變色材料層設置在所述有源層與所述絕緣材料層之間。
5.如權利要求1所述的光電晶體管,其特征在于,所述柵極絕緣層包括絕緣材料層和光致變色材料層,所述光致變色材料層設置在所述絕緣材料層與所述柵極層之間。
6.如權利要求4或5所述的光電晶體管,其特征在于,所述光致變色材料層的厚度為10nm~50nm。
7.如權利要求1~5任一項所述的光電晶體管,其特征在于,還包括網狀源極和漏極,所述網狀源極設置在所述有源層和所述柵極絕緣層之間,所述漏極設置在所述有源層的遠離所述柵極絕緣層的一側。
8.如權利要求1~5任一項所述的光電晶體管,其特征在于,所述光致變色材料選自螺吡喃類化合物、螺惡嗪類化合物、偶氮化合物、二芳基乙烯類化合物和多環醌類化合物中的一種或多種。
9.如權利要求1~5任一項所述的光電晶體管,其特征在于,所述絕緣材料選自有機聚合物材料、無機氧化物材料和鐵電材料中的一種或多種。
10.一種光電晶體管的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供或制備表面設有柵極層的基板;
在所述柵極層遠離所述基板的一側制作柵極絕緣層,所述柵極絕緣層含有絕緣材料和光致變色材料;
在所述柵極絕緣層遠離所述柵極層的一側制作有源層。
11.如權利要求10所述的制作方法,其特征在于,在所述柵極層遠離所述基板的一側制作柵極絕緣層包括:
將所述絕緣材料和所述光致變色材料一同溶解于溶劑中形成混合液;
將所述混合液涂布于所述柵極層上,干燥形成混合材料層。
12.如權利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述在所述柵極層遠離所述基板的一側制作柵極絕緣層包括:
在所述柵極層上采用絕緣材料制作絕緣材料層;
在所述絕緣材料層上采用光致變色材料制作光致變色材料層。
13.如權利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述在所述柵極層遠離所述基板的一側制作柵極絕緣層包括:
在所述柵極層上采用光致變色材料制作光致變色材料層;
在光致變色材料層上采用絕緣材料制作絕緣材料層。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





