[發明專利]薄膜體聲波諧振器、濾波器及薄膜體聲波諧振器制備方法

在審

• 申請號: 201910817808.1
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN110365306A
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 繆建民;張瑞珍
• 申請（專利權）人: 邁感微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H9/05;H03H3/02;H03H9/58
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明實施例公開了一種薄膜體聲波諧振器、濾波器及薄膜體聲波諧振器制備方法，該薄膜體聲波諧振器包括：支撐結構，所述支撐結構內部設置空氣隙；形成在所述支撐結構上的自下而上排列的下電極、壓電層和上電極。本發明實施例提供的技術方案，增加了薄膜體聲波諧振器的機械牢固度，有效避免常規工藝犧牲層被灌入通孔的腐蝕液腐蝕不完全和腐蝕液清洗不干凈的問題。

技術領域

本發明實施例涉及半導體技術領域，尤其涉及一種薄膜體聲波諧振器、濾波器及薄膜體聲波諧振器制備方法。

背景技術

近年來，隨著無線通信技術朝著高頻率和高速度方向迅猛發展，以及電子元器件朝著微型化和低功耗的方向發展，基于薄膜體聲波諧振器(Film Bulk AcousticResonator，FBAR)的濾波器的研究與開發越來越受到人們的關注。

目前的薄膜體聲波諧振器，常常會因為其機械牢固度不夠，以至于薄膜體聲波諧振器不能正常使用。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種薄膜體聲波諧振器、濾波器及薄膜體聲波諧振器制備方法，以解決現有技術中薄膜體聲波諧振器常常會因為其機械強度不夠，以至于薄膜體聲波諧振器不能正常使用的技術問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種薄膜體聲波諧振器，包括：

支撐結構，所述支撐結構內部設置空氣隙；

形成在所述支撐結構上的自下而上依次排列的下電極、壓電層和上電極。

可選地，所述支撐結構包括第一晶圓，所述第一晶圓的第一表面設置凹槽；

形成在所述第一晶圓上的第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述凹槽，所述第一晶圓和所述第一絕緣層包圍所述凹槽，所述凹槽構成所述空氣隙。

可選地，在垂直于所述第一晶圓的第一表面方向上，所述空氣隙的縱截面圖形為多邊形。

可選地，所述壓電層包括氮化鋁壓電層、氧化鋅壓電層以及鋯鈦酸鉛壓電陶瓷壓電層中的任一一種。

第二方面，本發明實施例提供了一種濾波器，包括第一方面任意所述的薄膜體聲波諧振器。

第三方面，本發明實施例提供了一種薄膜體聲波諧振器的制備方法，包括：

形成支撐結構，所述支撐結構內部設置空氣隙；

在所述支撐結構上形成自下而上依次排列的下電極、壓電層和上電極。

可選地，在所述支撐結構上形成自下而上依次排列的下電極、壓電層和上電極包括：

通過淀積工藝在所述支撐結構上形成自下而上依次排列的下電極、壓電層和上電極。

可選地，形成所述支撐結構包括：

提供第一晶圓；

在所述第一晶圓的第一表面形成凹槽；

在所述第一晶圓的第一表面形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述凹槽，所述第一晶圓和所述第一絕緣層包圍所述凹槽，所述凹槽構成所述空氣隙。

可選地，在所述第一晶圓的第一表面形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述凹槽，所述第一晶圓和所述第一絕緣層包圍所述凹槽，所述凹槽構成所述空氣隙包括：

提供第二晶圓；

在所述第二晶圓的第一表面形成第一絕緣層，在所述第二晶圓與所述第一表面相對的第二表面形成第二絕緣層；

在所述第一晶圓的第一表面鍵合所述第二晶圓，所述第二晶圓的第一表面上的第一絕緣層覆蓋所述凹槽；

去掉所述第二晶圓以及所述第二晶圓第二表面上的第二絕緣層。