[發明專利]濕度檢測裝置、故障判斷方法以及溫度檢測裝置

在審

• 申請號: 201910816030.2
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN111198212A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 中根健智
• 申請（專利權）人: 美蓓亞三美株式會社
• 主分類號: G01N27/22
• 分類號: G01N27/22
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 范勝杰;曹鑫

1.一種濕度檢測裝置，其特征在于，

具有：

半導體基板；

加熱部，其由所述半導體基板中的雜質擴散層形成；

下部電極，其隔著絕緣膜形成于所述加熱部的上方；

感濕膜，其覆蓋所述下部電極；以及

上部電極，其形成于所述感濕膜上。

2.根據權利要求1所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述雜質擴散層為一維格子狀。

3.根據權利要求1或者2所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述濕度檢測裝置還具有形成于所述半導體基板的溫度檢測部。

4.根據權利要求3所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述溫度檢測部為帶隙型，且包括將基極和集電極連接起來的一個或者多個雙極晶體管。

5.根據權利要求3所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述溫度檢測部為帶隙型，且包括一個或者多個pn結二極管。

6.根據權利要求3所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述溫度檢測部是將形成于所述半導體基板中的n型擴散層或者p型擴散層用作電阻體，并基于所述電阻體的溫度依賴性來檢測溫度的電阻型溫度傳感器。

7.根據權利要求6所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述溫度檢測部包括將雜質濃度不同的多個所述電阻體連接起來的橋接電路。

8.根據權利要求3所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述雜質擴散層與所述溫度檢測部的一部分所包含的n型擴散層或者p型擴散層距所述半導體基板的表面的深度相同。

9.根據權利要求1所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述半導體基板為p型半導體基板，所述雜質擴散層為n型擴散層。

10.根據權利要求1所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述感濕膜由聚酰亞胺形成。

11.根據權利要求3所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述濕度檢測裝置還具有故障判斷部，該故障判斷部根據基于所述下部電極與所述上部電極之間的靜電容量而檢測的濕度和由所述溫度檢測部檢測的溫度來進行故障判斷。

12.根據權利要求11所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

使所述加熱部發熱，在所述溫度不上升的情況下以及所述溫度上升而所述濕度不降低的情況下，所述故障判斷部判斷為故障。

13.根據權利要求3所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述濕度檢測裝置具有：

傳感器芯片，其具有還形成有濕度檢測部的所述半導體基板；以及

封固構件，其以使所述濕度檢測部以及溫度檢測部露出的狀態對所述傳感器芯片進行封固，

所述傳感器芯片具有：

多個布線層，其形成于所述半導體基板上；

基板連接層，其對所述多個布線層中的至少一個布線層和所述半導體基板進行連接；

一個或者多個層間連接層，其對所述多個布線層間進行連接；

第一遮光壁，其由所述基板連接層形成，且包圍所述溫度檢測部的周圍；

第二遮光壁，其由所述層間連接層形成，且包圍所述溫度檢測部的周圍；以及

遮光膜，其由所述多個布線層中的比所述第二遮光壁靠上層的布線層形成，且覆蓋所述溫度檢測部的上方。

14.根據權利要求13所述的濕度檢測裝置，其特征在于，

所述第二遮光壁配置于所述第一遮光壁的外側。