[發明專利]發光裝置和使用其的透明顯示裝置有效
| 申請號： | 201910814708.3 | 申請日： | 2019-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN110875434B | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發明（設計）人： | 金財鉉;樸銀貞;金錫顯;金官洙 | 申請（專利權）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;冷永華 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 裝置 使用 透明 顯示裝置 | ||
1.一種發光裝置，包括：
彼此相對設置的陽極和陰極，所述陰極包含金屬組分；
在所述陽極與所述陰極之間的發光層；
電子傳輸層，所述電子傳輸層在所述發光層與所述陰極之間，并且包括第一組分和含量低于所述第一組分的含量的第二組分，所述第一組分包括含有具有孤對電子的原子的雜環化合物，所述第二組分包括電子注入金屬和電子注入金屬化合物中的至少一者；以及
在所述陰極的第一表面上方的包括所述第一組分和過渡金屬的第一有機層，其中所述陰極的所述第一表面與所述陰極的具有設置在其上的所述電子傳輸層的第二表面相反，其中所述電子傳輸層和所述第一有機層分別直接接觸所述陰極的所述第二表面和所述第一表面。
2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子傳輸層中的所述具有孤對電子的原子鍵合至構成所述陰極的所述金屬組分。
3.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子傳輸層中的所述具有孤對電子的原子與構成所述陰極的所述金屬組分之間的鍵在所述電子傳輸層與所述陰極之間沿所述電子傳輸層的上表面水平連續地生成。
4.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述第一有機層中的所述具有孤對電子的原子與構成所述陰極的所述金屬組分之間的鍵在所述第一有機層與所述陰極之間沿所述陰極的所述第一表面生成。
5.根據權利要求3所述的發光裝置，其中在所述陰極與所述電子傳輸層之間的界面處，通過所述具有孤對電子的原子與構成所述陰極的所述金屬組分之間的所述鍵的水平連續布置來形成鍵合層，以及構成所述陰極的所述金屬組分的顆粒作為層狀結構被布置在所述鍵合層上。
6.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述陰極包括透射反射式金屬和透射反射式金屬合金中的一者，或者
其中所述陰極具有或更小的厚度。
7.根據權利要求6所述的發光裝置，其中所述陰極還包括過渡金屬。
8.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子注入金屬是選自過渡金屬、堿金屬和堿土金屬中的一者。
9.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子注入金屬化合物是喹啉鋰。
10.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述第一有機層還包括喹啉鋰。
11.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子傳輸層的第一組分含量占所述電子傳輸層的總體積的50％或更多。
12.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述具有孤對電子的原子選自氮原子、氧原子和硫原子。
13.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述雜環化合物為由下列化學式1至化學式4表示的化合物中的一者：
[化學式1]
[化學式2]
[化學式3]
[化學式4]
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
