[發明專利]一種廢水處理系統和處理方法有效
| 申請號: | 201910814259.2 | 申請日: | 2019-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN112441697B | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發明(設計)人: | 謝靜宜;周兵;王暉;賀大勇;湯艷紅;徐向平 | 申請(專利權)人: | 九芝堂股份有限公司 |
| 主分類號: | C02F9/00 | 分類號: | C02F9/00;C02F1/66;C02F3/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 410205 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 廢水處理 系統 處理 方法 | ||
1.一種廢水處理系統,其特征在于,所述廢水處理系統,包括調節池、沉淀池、厭氧池、給氧池,厭氧池內部、給氧池內部含有循環泵,所述調節池、沉淀池、厭氧池、給氧池連接方式依次為調節池、沉淀池、厭氧池、給氧池,給氧池和/或厭氧池上設置有溢流宴板和/或布水器,在該系統中廢水處理方法為:所述廢水的污水處理與污泥處理通用一套系統,廢水是間歇周期性進入,污水處理系統內部持續運行;污水在厭氧池中持續內部循環,在給氧池內部間歇循環,給氧池中泥水混合液間歇周期性回流至厭氧池;在產生廢水時,廢水進入調節池,將廢水調節均勻后進入沉淀池,加入堿,調節pH至7.5~9,污泥沉淀外排,上清液進入厭氧池厭氧處理,厭氧池中污水以5倍進水流量進行內循環,停留時間為厭氧池容積/(進水流量+內循環流量),厭氧處理后進入給氧池給氧處理,給氧池中污水以2倍流量進行內循環,停留時間為給氧池容積/(進水流量+內循環流量),給氧處理后上清液經溢流宴板和/或布水器后外排,泥水混合液在厭氧池停留5-14天后回流至厭氧池,回流時間為池容積/出水流量,回流期間,給氧池內循環停止;在停產時,即無廢水進入廢水處理系統時,厭氧池中的污水保持內循環,給氧池中的污水停止內循環,污水在厭氧池和給氧池中也保持循環,無水從廢水處理系統排出。
2.根據權利要求1所述的一種廢水處理系統,其特征在于,所述廢水處理系統包括調節池、沉淀池、厭氧池、給氧池,二沉池,所述調節池、沉淀池、厭氧池、給氧池、二沉池連接方式依次為調節池、沉淀池、厭氧池、給氧池、二沉池,二沉池設置有溢流宴板和/或布水器,二沉池設置1-3個;所述調節池設置1-3個。
3.一種采用權利要求1所述廢水處理系統的廢水處理辦法,其特征在于,所述廢水的污水處理與污泥處理通用一套系統,廢水是間歇周期性進入,污水處理系統內部持續運行;污水在厭氧池中持續內部循環,在給氧池內部間歇循環,給氧池中泥水混合液間歇周期性回流至厭氧池。
4.根據權利要求3所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,在產生廢水時,廢水進入調節池,將廢水調節均勻后進入沉淀池,加入堿,調節pH至7.5~9,污泥沉淀外排,上清液進入厭氧池厭氧處理,厭氧池中污水以5倍進水流量進行內循環,停留時間為厭氧池容積/(進水流量+內循環流量),厭氧處理后進入給氧池給氧處理,給氧池中污水以2倍流量進行內循環,停留時間為給氧池容積/(進水流量+內循環流量),給氧處理后上清液經溢流宴板和/或布水器后外排,泥水混合液在厭氧池停留5-14天后回流至厭氧池,回流時間為池容積/出水流量,回流期間,給氧池內循環停止;在停產時,即無廢水進入廢水處理系統時,厭氧池中的污水保持內循環,給氧池中的污水停止內循環,污水在厭氧池和給氧池中也保持循環,無水從廢水處理系統排出。
5.根據權利要求4所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,所述調節池是1-3個。
6.根據權利要求4所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,所述pH調節至8.0。
7.根據權利要求4所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,所述調節好pH值的廢水部分直接進入厭氧池進行厭氧處理。
8.根據權利要求4所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,所述泥水混合液在厭氧池停留5-7天。
9.根據權利要求8所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,所述泥水混合液在厭氧池停留6天。
10.根據權利要求4所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,在停產時,即無廢水進入廢水處理系統、也無處理好的水出廢水處理系統時,可根據內部循環水質情況,加入營養添加劑。
11.根據權利要求10所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,所述營養添加劑為碳源、氮源、磷源。
12.根據權利要求11所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,所述碳源為一級面粉,所述氮源為尿素,所述磷源為復合型磷肥。
13.根據權利要求4所述的一種廢水處理辦法,其特征在于,所述給氧處理后上清液經溢流宴板和/或布水器后進入二沉池,停留后再排出;所述二沉池設置1-3個。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于九芝堂股份有限公司,未經九芝堂股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910814259.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:激光器波長穩定控制方法及裝置
- 下一篇:半導體存儲器的形成方法





