[發(fā)明專利]半導體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910813404.5
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN110896099A
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發(fā)明（設計）人: 秋山千帆子
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會社
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/78
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

本發(fā)明涉及一種半導體器件，包括襯底；有源區(qū)和圍繞有源區(qū)的無源區(qū)；有源區(qū)上的柵電極、漏電極和源電極；包括漏極指和漏極條的漏極互連；以及包括源極指和源極條的源極互連。源極條在第一方向上隔著有源區(qū)位于漏極條的相反側(cè)。源電極包括在第一方向上面向漏極條的第一側(cè)和在第一側(cè)的中間的第一凹部。第一方向上的第一凹部的第一深度等于或大于第一方向上的漏極條和第一側(cè)之間的第一間隔。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年9月13日提交的日本專利申請No.JP2018-171589的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用被合并在此。

技術(shù)領域

本公開涉及一種半導體器件。

背景技術(shù)

作為半導體器件，例如，日本未審專利公開No.2001-284367中描述的高頻場效應晶體管(FET)已經(jīng)被提及。日本未審專利公開No.2001-284367中的FET包括源極歐姆電極和漏極歐姆電極。源極歐姆電極通過源極指被連接到源極提取電極。漏極歐姆電極通過漏極指被連接到漏極提取電極。源極指的尖端相對于源極歐姆電極被縮回，并且漏極指的尖端相對于漏極歐姆電極被縮回。為了改善如在日本未審專利公開No.2001-284367中所公開的FET的高頻特性，抑制局部發(fā)熱和減小寄生電容是有效的。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的一個實施例，提供一種半導體器件，包括：襯底；有源區(qū)和有源區(qū)周圍的無源區(qū)，有源區(qū)和無源區(qū)位于襯底上；在有源區(qū)上的柵電極、漏電極和源電極，該柵電極、漏電極和源電極在第一方向上延伸；漏極互連，包括漏極指，其具有沿著漏電極的平面形狀的圖案；以及在無源區(qū)上的漏極條，該漏極條在與第一方向交叉的第二方向上延伸并且被連接到漏極指；以及源極互連，其包括：源極指，其具有沿著源電極的平面形狀的圖案；和無源區(qū)上的源極條，該源極條在第二方向上延伸并連接到源極指。源極條在第一方向上隔著有源區(qū)位于漏極條的相反側(cè)，該源電極包括在第一方向上面向漏極條的第一側(cè)和在第一側(cè)的中間的第一凹部，并且第一凹部的第一深度等于或大于漏極條和第一側(cè)之間的第一間隔。

附圖說明

從參考附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例的下面的詳細描述中，將更好地理解前述和其他目的、方面和優(yōu)點，其中：

圖1是圖示根據(jù)實施例的半導體器件的示例的示意平面圖；

圖2是沿著圖1中的II-II線截取的橫截面圖；

圖3A至3C是圖示根據(jù)實施例的制造晶體管的方法的圖；

圖4A至4C是圖示根據(jù)實施例的制造晶體管的方法的圖；

圖5是用于解釋根據(jù)實施例的制造晶體管的方法的視圖，并且是當形成柵電極時的示意平面圖；

圖6是用于解釋根據(jù)實施例的制造晶體管的方法的視圖，并且是當將各開口形成在絕緣膜中時的示意平面圖；

圖7是用于解釋根據(jù)實施例的制造晶體管的方法的視圖，并且是沿著圖6中的線VII-VII截取的橫截面圖；

圖8A和8B是用于解釋根據(jù)實施例的制造晶體管的方法的視圖，并且是制造源極指的附近的方法的放大視圖；

圖9A和9B是用于解釋根據(jù)實施例的制造晶體管的方法的視圖，并且是制造源極指的附近的方法的放大視圖；

圖10是圖示現(xiàn)有技術(shù)中的晶體管的示意性平面圖；以及

圖11是根據(jù)修改示例的晶體管的示意性平面圖。

具體實施方式

[本公開要解決的問題]