[發(fā)明專利]鈣鈦礦薄膜一步法卷對卷的連續(xù)制備裝置及制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910811050.0
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN110444666A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭永強
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州威格爾納米科技有限公司;江蘇集萃分子工程研究院有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00
• 代理公司: 蘇州華博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32232
• 代理人: 孟宏偉

1.鈣鈦礦薄膜一步法卷對卷的連續(xù)制備裝置，其特征在于，沿基材傳輸方向依次設(shè)置有放卷裝置、基材預熱輥組、涂布裝置、退火裝置以及收卷裝置，所述基材預熱輥組包括有第一輥體，所述第一輥體內(nèi)部設(shè)置有用于流通導熱介質(zhì)的流道；所述涂布裝置包括有涂布背輥以及狹縫模頭，所述狹縫模頭朝所述涂布背輥一側(cè)供給溶液；所述退火裝置包括有箱體以及設(shè)置在所述箱體內(nèi)的傳輸裝置，所述箱體內(nèi)設(shè)置有加熱裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)制備裝置，其特征在于，所述涂布背輥內(nèi)設(shè)置有用于流通導熱介質(zhì)的流道。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的連續(xù)制備裝置，其特征在于，所述流道呈螺旋形結(jié)構(gòu)設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)制備裝置，其特征在于，所述箱體為一體式或分段式結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的連續(xù)制備裝置，其特征在于，所述加熱裝置包括有紅外加熱裝置和/或熱風加熱裝置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)制備裝置，其特征在于，所述基材預熱輥組至少具有兩個第一輥體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)制備裝置，其特征在于，所述退火裝置與所述收卷裝置之間還設(shè)置有貼合裝置，所述貼合裝置包括有纏繞有保護膜的置膜輥以及兩相對設(shè)置的導向輥和壓合輥，所述置膜輥上的保護膜隨基材進入導向輥和壓合輥之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的連續(xù)制備裝置，其特征在于，所述導向輥具有加熱或制冷功能，所述壓合輥為橡膠輥。

9.一種使用權(quán)利要求1至8任一所述連續(xù)制備裝置的鈣鈦礦薄膜制備方法，其特征在于，包括有以下步驟：

S1、基材經(jīng)所述放卷裝置放出進入所述基材預熱輥組內(nèi)進行預加熱；

S2、經(jīng)過所述基材預熱輥組的基材進入所述涂布裝置內(nèi)，所述涂布背輥將基材加熱至涂布所需的溫度，所述狹縫模頭對所述涂布背輥上的基材進行涂布；

S3、經(jīng)涂布后的基材在進入所述退火裝置前，溶液內(nèi)的溶劑在高溫下快速揮發(fā)在基材表面留下溶質(zhì)；

S4、經(jīng)涂布后的基材進入所述退火裝置內(nèi)，溶質(zhì)進一步形成并生長，最終形成結(jié)晶均勻、良好的鈣鈦礦薄膜；

S5、所述收卷裝置將完成S1至S5的基材收卷。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種鈣鈦礦薄膜制備方法，其特征在于，所述S1中的預加熱溫度與所述S2中涂布所需的溫度相差10℃。