[發明專利]N型太陽能電池硼擴SE結構的制備方法在審
| 申請號: | 201910807664.1 | 申請日: | 2019-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN110707178A | 公開(公告)日: | 2020-01-17 |
| 發明(設計)人: | 左嚴嚴;包健;徐冠群;廖暉;李明;白明華;張昕宇;金浩 | 申請(專利權)人: | 晶科能源科技(海寧)有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司: | 33304 杭州永航聯科專利代理有限公司 | 代理人: | 侯蘭玉 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 刻蝕漿料 電極柵線區域 硼擴散 輕摻雜 重摻雜 電極 刻蝕 去除 光電轉化效率 選擇性發射極 印刷 電極接觸 電極區域 技術應用 刻蝕圖形 發射區 制備 電池 優化 生產 | ||
本發明涉及一種N型太陽能電池,特別涉及一種N型太陽能電池硼擴SE結構的制備方法,該方法包括如下步驟:利用印刷含有HF的刻蝕漿料的方式,在N型硅片硼擴面的電極柵線區域刻蝕掉BSG,得到刻蝕圖形,再進行二次硼擴散,在電極區域形成硼的重摻雜,在電極之間形成硼的輕摻雜,得到N型太陽能電池硼擴SE結構。含有HF的刻蝕漿料的用于刻蝕去除BSG。本發明將選擇性發射極技術應用于N型電池的生產中,通過在硼擴面印刷刻蝕漿料,去除電極柵線區域的BSG,再進行二次硼擴散,在電極接觸部分進行硼的重摻雜,在電極之間進行硼的輕摻雜,實現對發射區的優化,提高N型太陽能電池的光電轉化效率。
技術領域
本發明涉及一種N型太陽能電池,特別涉及一種制備N型太陽能電池硼擴SE結構的方法,屬于晶體硅太陽能電池技術領域。
背景技術
隨著化石能源的逐漸枯竭,清潔能源愈發受到人們的重視。光伏發電技術作為利用太陽能資源的主流技術,已經走向市場化和商業化。為更進一步推進光伏電池產品的利用和推廣,需要逐步提升電池效率,降低度電成本。晶體硅太陽能電池的發展方向是降低生產成本和提升轉化效率。眾多公司為制備高效電池,增強企業競爭力,紛紛采用新技術來提升電池的光電轉換效率。
近年來,光伏領域多家企業為提升公司的技術水平,增強企業產品的競爭力,著力研究開發高效晶硅電池。N型太陽能電池因光致衰減低,穩定性好,雙面發電等優良特性而受到廣泛關注。為實現太陽能電池的高效率,人們設計多種電池結構,其中一種是選擇性發射極結構。N型電池的制備引入選擇性發射極技術,通過在電極接觸部分進行重摻雜,在電極之間進行輕摻雜,實現對發射區的優化,這樣可以降低擴散層的復合,減少前金屬電極與硅片的接觸電阻,以增加太陽能電池的輸出電流和電壓,從而增加光電轉化效率。
人們對N型太陽能電池的研究熱度不減,但對于轉化效率的提升,進展緩慢且成效較低。選擇性發射極技術的應用能夠實現太陽能電池的高效率。選擇性發射極太陽能電池具有自身獨特的電池結構特點,傳統的實現工藝是采用光刻膜技術、反腐蝕技術來實現的,但過分復雜的工藝影響工藝效率,提高了生產成本,限制了其工業化的應用。
發明內容
為了制備N型高效電池,進一步提升N型太陽能電池的光電轉化效率,本發明提供了一種N型太陽能電池硼擴SE(選擇性發射極Selective Emitter,簡稱SE)結構的制備方法,該方法可提升N型太陽能電池的光電轉化效率,操作簡單、易行,便于產業化。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種N型太陽能電池硼擴SE結構的制備方法,該方法包括如下步驟:利用印刷含有HF的刻蝕漿料的方式,在N型硅片硼擴面的電極柵線區域刻蝕掉BSG,得到刻蝕圖形,再進行二次硼擴散,在電極區域形成硼的重摻雜,在電極之間形成硼的輕摻雜,得到N型太陽能電池硼擴SE結構。含有HF的刻蝕漿料的用于刻蝕去除BSG。
本發明將選擇性發射極技術應用于N型電池的生產中,通過在硼擴面印刷刻蝕漿料,去除電極柵線區域的BSG,再進行二次硼擴散,在電極接觸部分進行硼的重摻雜,在電極之間進行硼的輕摻雜,實現對發射區的優化,提高N型太陽能電池的光電轉化效率。
作為優選,該方法包括如下步驟:
步驟1,制絨后的N型硅片進行一次硼擴散,
步驟2,印刷刻蝕漿料,利用網版印刷的方式在N型硅片表面預設柵線區域涂覆含有HF的刻蝕漿料;網版設計與電極印刷網版互補,鏤空預設柵線部分,在硅片表面形成具有相應圖形的刻蝕漿料層,將與刻蝕漿料接觸的硅片上的BSG和氧化層腐蝕去除;
步驟3,清洗刻蝕漿料,待刻蝕完畢后,清洗去除掉刻蝕漿料,得到表面圖形化的硅片;
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





