[發(fā)明專利]一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910807607.3
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN110618004B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龔瑜
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳賽意法微電子有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28;G01N1/44;G01R31/265
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務(wù)所(普通合伙) 44288
• 代理人: 楊艷

1.一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，包括以下步驟：

激光開封步驟：使用激光對半導(dǎo)體器件背面進行處理以去除半導(dǎo)體器件背部的模封體，直至封裝于半導(dǎo)體器件內(nèi)部的引線框架裸露出來；

酸反應(yīng)步驟：采用濃度為第一預(yù)設(shè)數(shù)值的硝酸去除引線框架；

第一研磨步驟：采用粒度號為第二預(yù)設(shè)數(shù)值的砂紙對芯片進行研磨以使得芯片中的硅襯底減薄至預(yù)設(shè)高度；

第一清洗步驟：采用清水或者酒精對經(jīng)過減薄的芯片背面進行清洗。

2.如權(quán)利要求1所述的一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，所述第一清洗步驟具體為：將經(jīng)過減薄的芯片放置于精密研磨機處，采用清水并配合拋光絨布對經(jīng)過減薄的芯片背面進行清洗；設(shè)置所述精密研磨機底盤轉(zhuǎn)速在30～50 r/min之間，設(shè)置精密研磨機的清洗時間為10s～3分鐘之間任意一數(shù)值。

3.如權(quán)利要求1所述的一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，在第一研磨步驟之后還包括缺陷檢測步驟：將經(jīng)過第一研磨步驟之后的芯片放置于紅外顯微鏡的觀測位，通過紅外顯微鏡進行芯片的缺陷檢測。

4.如權(quán)利要求1所述的一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，在第一研磨步驟之后還包括失效檢測步驟，所述失效檢測步驟具體包括如下步驟：

使用激光對半導(dǎo)體器件正面進行處理以去除半導(dǎo)體器件正面一定高度的模封體，直至將封裝于半導(dǎo)體器件內(nèi)部的引線裸露出來；

將處理好的半導(dǎo)體器件放置于微光顯微鏡/光誘導(dǎo)電阻變化儀器后，使用探針放置在正面裸露出來的引線上；

上電以完成芯片的失效定位。

5.如權(quán)利要求1所述的一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，在第一研磨步驟之后還包括第二研磨步驟：將經(jīng)過砂紙研磨后的芯片放置于精密研磨機處，將二氧化硅懸濁液均勻滴在研磨絨布表面，控制精密研磨機工作以對芯片進行研磨處理。

6.如權(quán)利要求5所述的一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，所述二氧化硅懸濁液中二氧化硅的直徑為0.05um，在第二研磨步驟中，設(shè)置所述精密研磨機的底盤轉(zhuǎn)速在100～220 r/min之間，設(shè)置精密研磨機的研磨頭自轉(zhuǎn)速度為10 r/min，設(shè)置精密研磨機的研磨頭水平轉(zhuǎn)速為0.625cm/s。

7.如權(quán)利要求5所述的一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，在第二研磨步驟之后還包括拋光步驟：采用拋光絨布對經(jīng)過第二研磨步驟之后的芯片進行拋光研磨，在拋光研磨的過程中，設(shè)置所述精密研磨機的底盤轉(zhuǎn)速在100～200r/min之間，設(shè)置拋光研磨時間為3～5分鐘。

8.如權(quán)利要求1所述的一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，在第一研磨步驟中，通過精密研磨機對芯片進行研磨以使得芯片中的硅襯底減薄至預(yù)設(shè)高度，設(shè)置精密研磨機的底盤轉(zhuǎn)速在100～220r/min之間，設(shè)置精密研磨機的研磨頭自轉(zhuǎn)速度10r/min，設(shè)置精密研磨機的研磨頭水平轉(zhuǎn)速0.625cm/s，設(shè)置研磨時間為3-5分鐘之間任意一數(shù)值；所述預(yù)設(shè)高度為70～200um中任意一數(shù)值。

9.如權(quán)利要求1所述的一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，在激光開封步驟之后還包括加熱步驟：將經(jīng)過激光處理后的半導(dǎo)體器件放置在加熱臺上加熱至預(yù)設(shè)溫度，所述預(yù)設(shè)溫度為90~120℃；

在酸反應(yīng)步驟之后還包括第二清洗步驟：使用丙酮對半導(dǎo)體器件進行清洗。

10.如權(quán)利要求1所述的一種改善的半導(dǎo)體器件的背部開封方法，其特征在于，所述激光開封步驟具體為：使用激光對半導(dǎo)體器件背面進行處理以去除半導(dǎo)體器件背部的模封體，直至封裝于半導(dǎo)體器件內(nèi)部的引線框架完全裸露出來；所述第一預(yù)設(shè)數(shù)值不超過70%，所述第二預(yù)設(shè)數(shù)值為1200。