[發(fā)明專利]平面多電子注激勵石墨烯亞波長集成光柵的太赫茲輻射源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910807115.4 | 申請日： | 2019-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN110571626B | 公開（公告）日： | 2021-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉文鑫;郭鑫;趙超;張兆傳;張志強 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院電子學研究所 |
| 主分類號： | H01S1/00 | 分類號： | H01S1/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 吳夢圓 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 平面 電子 激勵 石墨 波長 集成 光柵 赫茲 輻射源 | ||
1.一種石墨烯亞波長集成光柵的太赫茲輻射源，包括：
外殼，用于保護所述太赫茲輻射源；
電子槍陰極，其設(shè)置在外殼開口的一側(cè)，用于發(fā)射多電子注；
光柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在外殼內(nèi)部且表面設(shè)有石墨烯層，石墨烯層表面等離子體激元與多電子注進行返波機制互作用產(chǎn)生太赫茲輻射；
隔板，其設(shè)置在相鄰的兩個電子注之間，用于隔離電子注；以及
輸出端口，其設(shè)置在外殼上，且位于靠近電子槍陰極的一端，用于輸出太赫茲輻射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲輻射源，其特征在于，
所述電子槍陰極的形狀包括帶狀、矩形、橢圓、圓形中的任一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲輻射源，其特征在于，
所述多電子注的電壓為10-30kV。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲輻射源，其特征在于，
所述多電子注的形狀包括帶狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲輻射源，其特征在于，
所述光柵結(jié)構(gòu)的截面形狀包括矩形、三角形、正弦型中的任一種或多種組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲輻射源，其特征在于，
所述光柵結(jié)構(gòu)采用的材料為金屬；
所述的隔板采用的材料包括金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲輻射源，其特征在于，
所述的太赫茲輻射源還包括用于收集電子注能量的收集極，所述收集極設(shè)置在外殼遠離電子槍陰極的開口一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲輻射源，其特征在于，
所述的光柵結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述多電子注延伸方向垂直。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲輻射源，其特征在于，
所述外殼為兩端開口的盒裝結(jié)構(gòu)；
所述輸出端口設(shè)在外殼設(shè)有光柵結(jié)構(gòu)的一面上。
10.如權(quán)利要求1-9任一項所述的太赫茲輻射源在太赫茲技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。
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