[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910801287.0
• 申請(qǐng)日: 2019-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN111211124A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜秉佑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括以下步驟：

在下層上形成第一材料層；

在所述第一材料層上形成第二材料層；

在所述第二材料層上形成第三材料層；

在所述第三材料層上形成上層；

形成穿透所述上層以及所述第一材料層、所述第二材料層和所述第三材料層的狹縫；以及

通過所述狹縫蝕刻所述第一材料層、所述第二材料層和所述第三材料層，其中，所述第一材料層和所述第三材料層比所述第二材料層更快速地被蝕刻，使得在所述上層和所述第二材料層之間形成第一間隙并且在所述下層和所述第二材料層之間形成第二間隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第三材料層包括與所述第一材料層相同的材料，并且所述第二材料層包括與所述第一材料層不同的材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，蝕刻所述第一材料層、所述第二材料層和所述第三材料層的步驟包括在所述上層和所述下層之間形成層間空間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，該方法還包括利用第四材料層填充所述層間空間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，所述第二材料層形成為比所述第一材料層更厚，并且

其中，所述第二材料層形成為比所述第三材料層更厚。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一材料層和所述第三材料層中的每一個(gè)包括硼磷硅酸鹽玻璃BPSG、未摻雜硅酸鹽玻璃USG、磷硅酸鹽玻璃PSG和多孔氮化物層中的至少一種，并且

所述第二材料層包括氮化硅層，并且

其中，蝕刻所述第一材料層、所述第二材料層和所述第三材料層的步驟包括通過經(jīng)由所述狹縫提供包括磷酸H₃PO₄的蝕刻材料來去除所述第一材料層、所述第二材料層和所述第三材料層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一材料層和所述第三材料層中的每一個(gè)包括摻雜硅，并且

所述第二材料層包括未摻雜硅，并且

其中，蝕刻所述第一材料層、所述第二材料層和所述第三材料層的步驟包括通過經(jīng)由所述狹縫提供利用包括氟化氫HF、硝酸HNO₃和乙酸CH₃COOH的化學(xué)材料配置的蝕刻材料來去除所述第一材料層、所述第二材料層和所述第三材料層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，所述第一材料層具有高于所述第二材料層的蝕刻速率，并且

其中，所述第三材料層具有高于所述第二材料層的蝕刻速率。

9.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括以下步驟：

形成層間絕緣層和多犧牲層交替地層疊的層疊結(jié)構(gòu)，其中，通過層疊第一材料層和第二材料層來形成所述多犧牲層；

形成穿透所述層疊結(jié)構(gòu)的多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)；

形成在多個(gè)所述溝道結(jié)構(gòu)之間穿透所述層疊結(jié)構(gòu)的狹縫；

通過所述狹縫蝕刻所述多犧牲層，其中，所述第一材料層比所述第二材料層更快速地被蝕刻；以及

利用導(dǎo)電圖案填充所述多犧牲層被去除的區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第二材料層形成為比所述第一材料層更厚。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一材料層包括硼磷硅酸鹽玻璃BPSG、未摻雜硅酸鹽玻璃USG、磷硅酸鹽玻璃PSG和多孔氮化物層中的至少一種，并且

所述第二材料層包括氮化硅層，并且

其中，蝕刻所述多犧牲層的步驟包括通過經(jīng)由所述狹縫提供包括磷酸H₃PO₄的蝕刻材料來去除所述第一材料層和所述第二材料層。