[發明專利]元件基板、顯示面板以及它們的制造方法在審
| 申請號: | 201910801119.1 | 申請日: | 2019-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN110931503A | 公開(公告)日: | 2020-03-27 |
| 發明(設計)人: | 北川英樹;原義仁;前田昌紀;川崎達也;平田義晴;今井元;大東徹 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/136;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務所 11323 | 代理人: | 權鮮枝;劉寧軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 元件 顯示 面板 以及 它們 制造 方法 | ||
一種元件基板、顯示面板以及它們的制造方法,得到可靠性優異的元件基板和顯示面板。構成顯示面板(10)的元件基板(30)具備:導電膜(31);絕緣膜(32),其設置在導電膜(31)的上層,覆蓋其側面和上表面;以及透明電極膜(37),其設置在絕緣膜(32)的上層,在元件基板(30)中,以包含電極部(55)和覆蓋部(56)的方式形成透明電極膜(37),電極部(55)與導電膜(31)電連接而構成電極,覆蓋部(56)與電極部(55)分開設置,與導電膜(31)和電極部(55)電絕緣,并且與導電膜(31)和覆蓋導電膜(31)的絕緣膜(32)重疊。
技術領域
通過本說明書所公開的技術涉及元件基板、顯示面板以及它們的制造方法。
背景技術
已知在相對配置的一對基板之間密封有液晶等電光物質的構成的顯示面板。其中一個基板被設為元件基板,至少具備作為開關元件發揮功能的TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶體管)、以及隔著絕緣膜配置在比TFT靠上層側的像素電極。在元件基板的顯示區域內,包括柵極配線和源極配線的信號線設置為格子狀,在各信號線的交叉部配置TFT,在由各信號線包圍的格子內配置像素電極,從而形成了作為顯示單位的像素。TFT構成為具有:包括導電膜的柵極電極和源極電極,其連接到各信號線;包括導電膜的漏極電極,其連接到像素電極;以及包括半導體膜的溝道區域,其將源極電極與漏極電極之間連接。在這種顯示面板中,當從外部供應到各信號線的電信號經由TFT在規定的定時傳送到像素電極,電光物質被施加電場時,電光物質的光學特性會發生變化,而在顯示區域內顯示圖像。
一般地,在元件基板或與元件基板相對配置的相對基板中的至少任意一個中,在非像素區域即例如柵極配線和源極配線的配設區域、以及與TFT的配設區域重疊的區域中配設遮光層。在要求顯示圖像的高清晰化和高亮度化的形勢下,為了縮小遮光層的配設區域,提高開口率,優選使各配線等變細來減小TFT等的配設區域。但是,如果簡單地使配線等變細,則可能會使導電電阻增大。為此,例如在下述專利文獻1中公開了一種半導體裝置,其為了使各配線低電阻化,由包含導電電阻小的鋁(Al)的層疊膜形成了配線。
專利文獻1:特開2005-317983號公報
發明內容
作為用于在不使開口率下降的情況下實現各配線等的低電阻化的其它方法,可以考慮使它們的厚度尺寸變大。例如,如果使形成TFT的柵極電極的柵極金屬膜變厚,則能夠使柵極電阻低電阻化。然而,如果柵極金屬膜變厚,則由此形成的臺階會變大,覆蓋柵極金屬膜的側面和上表面的柵極絕緣膜無法充分地追隨臺階,有時會產生裂縫。形成在基板上的導電膜通常是其側面和上表面被絕緣膜覆蓋,因此,即使水分從元件基板的上方浸入,也會被絕緣膜阻擋,幾乎不會到達導電膜。然而,如果在絕緣膜產生了裂縫,則水分很可能通過該裂縫而到達導電膜,給導電性能帶來影響。例如,如果如上所述在柵極絕緣膜產生了裂縫,則有可能柵極電阻等發生變化而致使TFT不正常動作。此外,雖然為了不在絕緣膜產生裂縫,也可以考慮使絕緣膜的厚度尺寸變大,但如果使在基板上以幾乎滿面狀形成的絕緣膜變厚,則有由絕緣膜產生的應力變大而產生基板翹曲等問題之虞。
本技術是基于上述這樣的情況而完成的,其目的在于,提供一種抑制水分到達導電膜,可靠性優異的元件基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





