[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910801097.9
• 申請日: 2019-08-28
• 公開（公告）號: CN110875176B
• 公開（公告）日: 2023-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張競予;許仲豪;王偉任;潘興強;李資良
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/8234
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：

圖案化一三層光阻層，其中該三層光阻層包括一底層、位于該底層上的一中層、與位于該中層上的一上層；

使用該上層作為一遮罩層，該遮罩層包括一有機材料；

將一部分的該遮罩層轉(zhuǎn)化為包括碳金屬氧化物的一無機材料；以及

利用該遮罩層蝕刻一第一層，

其中，轉(zhuǎn)化部分的該遮罩層包括：通過一熱原子層沉積制程沉積一金屬氧化物到該遮罩層中，以使該遮罩層中分子斷鍵和再鍵結(jié)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，還包括：

在轉(zhuǎn)化部分的該遮罩層之前，執(zhí)行一去殘膠制程，該去殘膠制程去除該遮罩層的側(cè)壁部分的材料并且去除該第一層所露出部分的材料。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，還包括：

在轉(zhuǎn)化部分的該遮罩層之前，執(zhí)行一修邊制程，該修邊制程去除該遮罩層的側(cè)壁表面以及上表面的材料。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中，轉(zhuǎn)化部分的該遮罩層包括：改變該遮罩層以轉(zhuǎn)化該遮罩層為一碳金屬氧化物材料。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中，轉(zhuǎn)化部分的該遮罩層包括：形成一金屬氧化物殼在該遮罩層上。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，還包括：

在該金屬氧化物殼和該遮罩層的接口形成一碳金屬氧化物的一均勻交聯(lián)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中，轉(zhuǎn)化部分的該遮罩層包括：形成一碳金屬氧化物殼在該遮罩層的表面。

8.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：

形成一三層光阻層在一目標層上，其中該三層光阻層包括一底層、位于該底層上的一中層、與位于該中層上的一上層；

圖案化該三層光阻層；

使用該上層作為一遮罩，該遮罩包含一有機材料；

通過一熱原子層沉積制程沉積一金屬氧化物到該遮罩中，以使該遮罩中分子斷鍵和再鍵結(jié)，其中該熱原子層沉積制程包括：

施加一含金屬的第一前驅(qū)物在該遮罩上；以及

施加一含氧的第二前驅(qū)物在該遮罩上，其中在施加了該第一前驅(qū)物和該第二前驅(qū)物之后，該遮罩包括包括碳金屬氧化物的一無機材料。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中，該第一前驅(qū)物包括：

三甲基鋁、二乙基鋅、四(二甲胺基)鈦、異丙醇鈦、四氯化鈦、雙(第三丁基胺基)硅烷、雙(二乙基胺基)硅烷、三(二甲基胺基)硅烷、四(二甲胺基)鋯、四氯化鋯、或四(二甲胺基)錫。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中，該第二前驅(qū)物包括水、氧氣、臭氧、或過氧化氫。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，還包括：

在施加該第一前驅(qū)物之前，對該遮罩執(zhí)行一去殘膠制程。

12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，還包括：

在施加該第一前驅(qū)物之前，對該遮罩執(zhí)行一修邊制程。

13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，還包括：

形成一金屬氧化物殼在該遮罩的表面上。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，還包括：

在該金屬氧化物殼和該遮罩的一有機部分之間形成一交聯(lián)。

15.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中在施加該第一前驅(qū)物和該第二前驅(qū)物之后，該遮罩的表面包括一碳金屬氧化物。