[發明專利]溝槽MOSFET接觸件

有效

• 申請號: 201910798927.7
• 申請日: 2019-08-28
• 公開（公告）號: CN110890327B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: P·文卡特拉曼;D·E·普羅布斯特
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/423
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種器件的接觸結構，所述接觸結構包括：

分離溝槽，所述分離溝槽限定在半導體區內；

有源區域，所述有源區域設置在所述分離溝槽的第一側上；

柵極接觸區域，所述柵極接觸區域設置在所述分離溝槽的第二側上；

第一類型的多個溝槽，所述第一類型的多個溝槽設置在所述半導體區的所述有源區域中，所述第一類型的所述多個溝槽中的每個垂直于所述分離溝槽對準并且具有終止在所述分離溝槽處的第一縱向端部，所述第一類型的所述多個溝槽中的每個具有平行于所述分離溝槽對準的寬度；和

第二類型的多個溝槽，所述第二類型的多個溝槽設置在所述半導體區的所述柵極接觸區域中，所述第二類型的所述多個溝槽中的每個垂直于所述分離溝槽對準并且具有終止在所述分離溝槽處的第一縱向端部，所述第二類型的所述多個溝槽中的每個具有平行于所述分離溝槽對準的寬度，

其中每單位長度的所述分離溝槽在終止于所述分離溝槽的所述第二側上的所述柵極接觸區域中的所述第二類型的所述多個溝槽的數量小于每單位長度的所述分離溝槽在終止于所述分離溝槽的所述第一側上的所述有源區域中的所述第一類型的所述多個溝槽的數量，其中在所述有源區域中形成在所述第一類型的一對溝槽之間的有源區域臺面的寬度與在所述柵極接觸區域中形成在所述第二類型的一對所述溝槽之間的柵極接觸區域臺面的寬度相同。

2.根據權利要求1所述的接觸結構，其中在所述柵極接觸區域中形成在所述第二類型的所述多個溝槽之間的柵極接觸區域臺面的數量與在所述有源區域中形成在所述第一類型的所述多個溝槽之間的有源區域臺面的數量的比率小于1，并且具有與所述有源區域中的所述有源區域臺面的寬度相同的寬度的所述柵極接觸區域臺面包括P高電壓(PHV)體區。

3.根據權利要求1所述的接觸結構，其中器件源極暴露在所述有源區域臺面中并且耦接到在所述半導體區的所述有源區域上方延伸的源極接觸導電層，其中器件體區暴露在所述柵極接觸區域臺面中并且耦接到在所述半導體區的所述柵極接觸區域上方延伸的所述源極接觸導電層的一部分，并且其中柵極電極設置在所述第二類型的所述溝槽中的一個中并且耦接到在所述半導體區的所述柵極接觸區域上方延伸的柵極接觸導電層，并且其中設置在所述第二類型的所述溝槽中的所述一個中的所述柵極電極從所述有源區域延伸，并且具有與所述有源區域中的柵極電極相同的柵極多晶硅和柵極氧化物結構。

4.根據權利要求1所述的接觸結構，其中：

所述第一類型的所述多個溝槽以第一單元節距包括在源極接觸單元的陣列中，所述源極接觸單元中的每個包括所述第一類型的所述多個溝槽中的一個以及相鄰的有源區域臺面；并且

所述第二類型的所述多個溝槽以第二單元節距布置為柵極接觸單元的陣列，每個單元包括所述第二類型的所述多個溝槽中的一個以及一個鄰接的柵極接觸臺面，所述第二單元節距大于所述第一單元節距。

5.根據權利要求1所述的接觸結構，其中垂直于所述分離溝槽對準并且具有終止在所述分離溝槽處的第一縱向端部的所述第二類型的所述多個溝槽中的每個具有終止在平行于所述分離溝槽的柵極終止溝槽處的第二縱向端部。

6.根據權利要求5所述的接觸結構，其中所述柵極終止溝槽被配置成建立到所述器件的外部柵極饋電。

7.根據權利要求1所述的接觸結構，其中設置在所述半導體區的所述柵極接觸區域中并且從所述分離溝槽延伸的所述第二類型的溝槽包括跨過所述半導體區的屏蔽區段延伸的柵極流道溝槽節段，并且其中跨過所述屏蔽區段延伸的所述柵極流道溝槽節段被配置為用于所述屏蔽區段的任一側上的器件柵極的內部柵極饋電機構。