[發明專利]一種配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置在審
| 申請號: | 201910797925.6 | 申請日: | 2019-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN110468379A | 公開(公告)日: | 2019-11-19 |
| 發明(設計)人: | 趙彥輝;劉忠海;王海;于寶海;王英智;劉洋 | 申請(專利權)人: | 中國科學院金屬研究所;沈陽樂貝真空技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32;C23C14/02 |
| 代理公司: | 21234 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人: | 張志偉<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 110016 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱絲 接線柱 相對設置 熱電子 真空室側壁 室內 電弧離子鍍膜裝置 等離子體 材料表面改性 正極 薄膜致密化 真空室外壁 鍍膜過程 金屬原子 氣體分子 熱絲電源 設備真空 負極 側壁處 絕緣塊 真空室 電離 發射 穿設 伸入 沉積 遷徙 通電 配置 | ||
1.一種配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,在設備真空室的側壁處相對設置熱絲接線柱,每個熱絲接線柱的一端通過真空室側壁伸入真空室內,每個熱絲接線柱穿設固定于真空室側壁的一個熱絲絕緣塊上,每個熱絲接線柱的另一端露在真空室外側;相對設置的兩個熱絲接線柱露出真空室外壁的一端,分別通過導線接熱絲電源的正極與負極,相對設置的兩個熱絲接線柱伸至真空室內的一端通過熱絲連接,形成一組熱絲發射熱電子結構,該結構對稱分布;
工件轉架臺位于真空室內的底部,工件轉架臺上對稱設置工件轉架,基體偏壓電源的負極與工件轉架臺連接,基體偏壓電源的正極接真空室外壁并接地;在真空室的內壁上,設置與工件轉架上的工件相對應的弧源靶材。
2.按照權利要求1所述的配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,熱絲接線柱通過熱絲絕緣塊與真空室側壁絕緣,熱絲絕緣塊與真空室壁之間采用密封膠圈密封。
3.按照權利要求1所述的配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,熱絲接線柱采用紫銅制作的空心水冷結構。
4.按照權利要求1所述的配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,真空室內壁與熱絲之間設置表面拋光的、無磁不銹鋼304制作的熱絲反射罩,熱絲反射罩單面朝著工件方向開口,其余面封閉,將熱絲發射的熱量往真空室中心部位反射。
5.按照權利要求1所述的配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,熱絲設置于立式電弧離子鍍設備真空室壁兩列靶材中間部位,熱絲接線柱及熱絲從上到下設置,平行于工件轉軸,熱絲連接于兩個熱絲接線柱之間并固定,熱絲接線柱通過熱絲絕緣塊固定于真空室的側壁上,熱絲接線柱之間連接熱絲,且熱絲絕緣塊與真空室側壁之間采用密封膠圈密封。
6.按照權利要求5所述的配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,在立式電弧離子鍍設備中,熱絲接線柱的具體位置按照整個工件的最大高度來確定,熱絲長度與整個工件高度相同或高于工件長度30~100mm。
7.按照權利要求1所述的配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,熱絲設置于臥式電弧離子鍍設備真空室壁兩行靶材中間部位,熱絲接線柱及熱絲從左到右設置,平行于工件轉軸,熱絲連接于兩個熱絲接線柱之間并固定,熱絲接線柱通過熱絲絕緣塊固定于真空室的側壁上,熱絲接線柱之間連接熱絲,且熱絲絕緣塊與真空室側壁之間采用密封膠圈密封。
8.按照權利要求7所述的配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,在臥式電弧離子鍍設備中,熱絲接線柱的具體位置按照整個工件的最大長度來確定,熱絲長度與整個工件最大長度相同或長于工件長度30~200mm。
9.按照權利要求1所述的配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,在兩個熱絲接線柱之間熱絲的根數和直徑根據實際情況確定,熱絲直徑選擇0.3~2.0毫米,根數為1~6根;兩個熱絲接線柱為一組,真空室側壁上設置的熱絲接線柱組對稱分布。
10.一種權利要求1至9之一所述的配置熱絲的電弧離子鍍膜裝置,其特征在于,該裝置的使用方法如下:
(1)將工件研磨并經鏡面拋光后,在無水酒精中超聲清洗10~30分鐘,熱風吹干后分組對稱設置于工件轉架上,每組工件分層均勻排布;
(2)抽真空至真空室內真空度達到6×10-4Pa~4×10-2Pa時,通氬氣、氣壓控制在0.2~2Pa之間;
(3)開啟弧光增強輝光放電離子刻蝕源,通過基體偏壓電源對工件加負偏壓-10V~-600V范圍,且偏壓漸進式增加,對工件進行輝光清洗30~120分鐘;
(4)調整Ar氣流量,使真空室內氣壓調整為0.2~1.0Pa,同時開啟弧源靶材,通過鈦弧對工件沉積Ti過渡層1~20分鐘;
(5)通過基體偏壓電源調整基體偏壓為-10~-400V范圍,通氮氣,調整氣壓為0.3~4.0Pa,同時開啟熱絲電源,熱絲電源電流調整為10~200A,沉積TiN層,沉積時間為20~180分鐘;
(6)沉積結束后,迅速關閉基體偏壓,關閉鈦弧電源開關,關閉熱絲電源,停止氣體通入,繼續抽真空至工件隨爐冷卻至100℃以下,打開真空室,取出工件,鍍膜過程結束。
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