[發(fā)明專(zhuān)利]掩模及其制造方法及圖案化膜層的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910797918.6
• 申請(qǐng)日: 2019-08-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110874008A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳俊郎;陳政元;涂志強(qiáng);楊世豪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F1/22
• 分類(lèi)號(hào): G03F1/22;G03F1/24
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 龔詩(shī)靖

本發(fā)明實(shí)施例涉及一種掩模及其制造方法及圖案化膜層的方法。一種用于反射電磁輻射的掩模，其包含：襯底、所述襯底的表面上方的反射多層堆疊、所述反射多層堆疊上方的金屬罩蓋層、所述金屬罩蓋層上方的金屬硅化物緩沖層及所述金屬硅化物緩沖層上方的光學(xué)吸收體圖案。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及掩模及其制造方法及圖案化膜層的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit；IC)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。IC材料及設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已產(chǎn)生數(shù)代IC，其中每一代IC具有比前一代IC更小且更復(fù)雜的電路。這種按比例縮小工藝通常通過(guò)增大生產(chǎn)效率以及降低相關(guān)制造成本來(lái)提供益處。然而，這種按比例縮小還增加了IC制造的復(fù)雜度。為了加工極小構(gòu)件，開(kāi)發(fā)了例如極遠(yuǎn)紫外(EUV)光刻、X射線光刻、離子束投影光刻及電子束投影光刻等高分辨率光刻技術(shù)。

在高分辨率光刻技術(shù)中，EUV光刻例如采用使用EUV區(qū)中的光的掃描器，從而具有低于約100nm的波長(zhǎng)。然而，許多凝聚材料在EUV波長(zhǎng)下吸收，因此EUV光刻的掩模為反射性的，且EUV掩模上的所要圖案通過(guò)選擇性地去除光學(xué)吸收體層(也被稱(chēng)作EUV掩模光學(xué)吸收體)的部分來(lái)界定以顯露經(jīng)配置為鏡面且形成于襯底上的底層反射多層(也被稱(chēng)作ML)的部分。

光學(xué)吸收體層的數(shù)個(gè)部分的選擇性去除通常涉及使用掩模通過(guò)光學(xué)吸收體材料的數(shù)個(gè)部分蝕刻出溝槽。然而，反射多層在去除光學(xué)吸收體層的數(shù)個(gè)部分以及去除掩模期間易受到表面損害，這會(huì)導(dǎo)致EUV反射率損失及結(jié)構(gòu)降級(jí)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于反射電磁輻射的掩模，其包括：襯底；所述襯底的表面上方的反射多層堆疊；所述反射多層堆疊上方的金屬罩蓋層；所述金屬罩蓋層上方的金屬硅化物緩沖層；及所述金屬硅化物緩沖層上方的光學(xué)吸收體圖案。

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制造掩模的方法，其包括：在襯底上方形成反射多層堆疊、罩蓋層、緩沖層及光學(xué)吸收體層；在所述光學(xué)吸收體層上方形成硬掩模層，其中所述硬掩模層包含多個(gè)開(kāi)口；及通過(guò)第一蝕刻劑通過(guò)所述硬掩模層的所述開(kāi)口蝕刻所述光學(xué)吸收體層以形成暴露所述緩沖層的光學(xué)吸收體圖案，其中對(duì)于所述第一蝕刻劑，所述緩沖層的材料的蝕刻速率低于所述光學(xué)吸收體圖案的材料的蝕刻速率。

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種圖案化膜層的方法，所述方法包括：提供掩模，所述掩模包括：反射多層堆疊；所述反射多層堆疊上方的金屬罩蓋層；所述金屬罩蓋層上方的金屬硅化物緩沖層；及所述金屬硅化物緩沖層上方的光學(xué)吸收體圖案；使電磁輻射撞擊所述掩模以暴露光阻層從而將所述掩模的圖案轉(zhuǎn)印到所述光阻層；及對(duì)所述經(jīng)暴露的光阻層執(zhí)行顯影操作以形成光阻圖案。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖研讀時(shí)，從以下實(shí)施方式最好地理解本公開(kāi)的實(shí)施例的方面。應(yīng)指出，根據(jù)業(yè)界中的標(biāo)準(zhǔn)慣例，各種結(jié)構(gòu)未按比例繪制。實(shí)際上，為論述清楚起見(jiàn)，可任意增大或減小各種結(jié)構(gòu)的尺寸。

圖1為根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的說(shuō)明電磁輻射產(chǎn)生設(shè)備的示意圖圖式。

圖2為根據(jù)本公開(kāi)的一或多個(gè)實(shí)施例的各種方面的說(shuō)明用于制造掩模的方法的流程圖。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E及圖3F為根據(jù)本公開(kāi)的一或多個(gè)實(shí)施例的制造掩模的各種操作中的一或多個(gè)的示意圖。

圖4為展示罩蓋層與緩沖層的堆疊的反射的模擬結(jié)果。

圖5為根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的說(shuō)明掩模的示意圖圖式。

圖6為根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例說(shuō)明掩模的示意圖圖式。

圖7為根據(jù)本公開(kāi)的一或多個(gè)實(shí)施例的各種方面的說(shuō)明使用掩模圖案化膜層的方法的流程圖。

圖8A、圖8B及圖8C為根據(jù)本公開(kāi)的一或多個(gè)實(shí)施例的使用掩模來(lái)圖案化膜層的各種操作中的一或多個(gè)的示意圖。