[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910795814.1
• 申請日: 2019-08-27
• 公開（公告）號: CN110875420A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳季丞;黃偉立;吳俊逸;巫洸毅;黃宏麟;蘇智宏;古進譽;陳承先
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L43/02
• 分類號: H01L43/02;H01L43/12
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 韓旭;黃艷

本公開一些實施例提供了一種形成半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的方法。此方法包括于半導(dǎo)體基板的上方形成鈍化層。此方法還包括于鈍化層的上方形成磁性元件。此方法還包括于磁性元件以及鈍化層的上方形成隔離層，其中隔離層包括一高分子材料。再者，此方法包括于隔離層的上方形成導(dǎo)線，且導(dǎo)線延伸跨過磁性元件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例內(nèi)容涉及一種形成半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的方法，特別涉及一種形成具有磁性元件的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit，IC)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)歷了快速的成長。集成電路(IC)的材料與設(shè)計的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)創(chuàng)造了集成電路的多個世代，且各個世代具有相較于前一世代更小且更復(fù)雜的電路。

在集成電路演進的歷程中，功能密度(例如單位芯片面積的互連裝置數(shù)量)已普遍地增加，同時伴隨幾何尺寸的縮小。這樣的尺寸縮減的過程普遍地為提升生產(chǎn)效率與降低相關(guān)成本帶來了好處。

然而，這樣的尺寸縮減也增加了集成電路的加工和制造的復(fù)雜性。由于部件尺寸不斷縮減，制造過程在執(zhí)行上也不斷變得更加復(fù)雜。因此，如何在尺寸上持續(xù)縮減的情況下仍可形成可靠的半導(dǎo)體裝置是一種挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一些實施例提供一種形成半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的方法。此方法包括于半導(dǎo)體基板的上方形成鈍化層，以及于鈍化層的上方形成磁性元件。此方法還包括于磁性元件以及鈍化層的上方形成隔離層，其中隔離層包括一高分子材料。此方法還包括于隔離層的上方形成導(dǎo)線，其中導(dǎo)線延伸跨過磁性元件。

本發(fā)明的一些實施例提供另一種形成半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的方法。此方法包括于一半導(dǎo)體基板的上方形成第一高分子層。此方法亦包括于第一高分子層的上方形成磁性元件。此方法還包括于第一高分子層的上方形成第二高分子層，以覆蓋磁性元件。此方法還包括于第二高分子層的上方形成導(dǎo)線，其中導(dǎo)線延伸跨過磁性元件。

本發(fā)明的一些實施例提供一種半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體基板以及位于半導(dǎo)體基板上方的磁性元件。半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)亦包括位于半導(dǎo)體基板以及磁性元件之間的鈍化層。半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)還包括位于磁性元件以及鈍化層上方的隔離層，其中隔離層包括一高分子材料。半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)還包括位于隔離層上方且延伸跨過磁性元件的導(dǎo)線。

附圖說明

通過以下的詳細描述配合說明書附圖，可以更加理解本發(fā)明實施例的內(nèi)容。需強調(diào)的是，根據(jù)產(chǎn)業(yè)上的標準慣例，許多部件(feature)并未按照比例繪制。事實上，為了能清楚地討論，各種部件的尺寸可能被任意地增加或減少。

圖1A至圖1J是根據(jù)本發(fā)明一些實施例的形成一半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的制程的多個階段的剖面示意圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明一些實施例的一半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明一些實施例的一半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視布局圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明一些實施例的形成一半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的制程的一個中間階段的俯視布局圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明一些實施例的一半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明一些實施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的隔離層的俯視圖。

附圖標記說明：

100～半導(dǎo)體基板；

102～內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；

104～保護層；

106～蝕刻停止層；

108a-108e～磁性層/子層；

109～磁性元件；

109T～磁性元件的頂表面；