[發(fā)明專利]一種鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910792313.8
• 申請日: 2019-08-26
• 公開（公告）號: CN110438449A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴新義;唐乾昌;吳復(fù)忠
• 申請（專利權(quán)）人: 貴州大學(xué)
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/08;C23C14/35;H01M4/525;H01M10/0525
• 代理公司: 北京聯(lián)創(chuàng)佳為專利事務(wù)所(普通合伙) 11362
• 代理人: 張梅

1.一種鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法，其特征在于：采用多靶共濺射技術(shù)同時(shí)濺射鈷酸鋰靶材及鋁靶材制備鋁摻雜改性的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）將鈷酸鋰靶材及鋁靶材安裝于磁控濺射腔體，持續(xù)抽真空，將基片置于基片夾并加熱、旋轉(zhuǎn)；

（2）抽真空至背底真空后，通入工作氣體，采用多靶共濺射技術(shù)同時(shí)濺射鈷酸鋰靶材及鋁靶材制備鋁摻雜改性的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極，通過控制鈷酸鋰靶及鋁靶的濺射參數(shù)及靶材成分來調(diào)控復(fù)合薄膜的成分及結(jié)構(gòu)；

（3）濺射完成后自然冷卻，得到鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中，鈷酸鋰靶材成分為LixCoO₂，其中1≤x≤1.2，鋁靶材成分為Al。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中，所述的基片加熱溫度為300-600℃并保持，基片轉(zhuǎn)速為5-20rpm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中，背底真空為1×10^-4-1×10^-3Pa，濺射工作氣體為氬氣或氬氧混合氣，通入工作氣體后使濺射氣壓為0.2-5.0Pa。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法，其特征在于：所述氬氧混合氣中氧氣的體積分?jǐn)?shù)為5-50%。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中，多靶共濺射鈷酸鋰靶材濺射參數(shù)為：靶基距3-10cm，濺射功率50-250W。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中，多靶共濺射鋁靶材濺射參數(shù)為：靶基距3-10cm，濺射功率10-100W。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極及其制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中，鈷酸鋰復(fù)合薄膜電極厚度為300-2000nm。