[發明專利]形成集成電路結構的方法以及集成電路結構

有效

• 申請號: 201910779620.2
• 申請日: 2019-08-22
• 公開（公告）號: CN111081683B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 曾俊凱;林政仁;趙永清;鄭明達;李明機
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

根據本申請的實施例，提供了形成集成電路結構的方法，包括形成第一磁性層，在第一磁性層上方形成第一導線，以及在第一磁性層上涂覆光敏涂層。光敏涂層包括位于第一導線正上方的第一部分，以及從第一導線偏移的第二部分。第一部分連接至第二部分。該方法還包括對光敏涂層的第一部分實施第一曝光，對光敏涂層的第一部分和第二部分實施第二曝光，顯影光敏涂層，以及在光敏涂層上方形成第二磁性層。本申請的實施例還提供了其他形成集成電路結構的方法以及集成電路結構。

技術領域

本申請的實施例涉及半導體領域，并且更具體地，涉及形成集成電路結構的方法以及集成電路結構。

背景技術

電感器是集成電路中的重要組件。然而，電感器不能很好地按比例縮放，并且集成電路中的電感器的按比例縮小通常會導致性能降級的損失。

發明內容

根據本申請的實施例，提供了一種形成集成電路結構的方法，所述方法包括：形成第一磁性層；在所述第一磁性層上方形成第一導線；在所述第一磁性層上涂覆光敏涂層，其中，所述光敏涂層包括：第一部分，位于所述第一導線正上方；以及第二部分，從所述第一導線偏移，其中，所述第一部分連接至所述第二部分；對所述光敏涂層的第一部分實施第一曝光；對所述光敏涂層的第一部分和第二部分實施第二曝光；顯影所述光敏涂層；以及在所述光敏涂層上方形成第二磁性層。

根據本申請的實施例，提供了一種形成集成電路結構的方法，所述方法包括：形成第一導線和第二導線；涂覆光敏涂層，所述光敏涂層包括：第一部分，位于所述第一導線和所述第二導線正上方；第二部分，位于所述第一導線和所述第二導線之間；第三部分，位于組合區域的相對側上，其中，所述組合區域包括所述第一導線、所述第二導線和所述光敏涂層的第二部分；實施第一曝光以曝光所述光敏涂層的第一部分，其中，使用具有第一波長的第一光束實施所述第一曝光；實施第二曝光以曝光所述光敏涂層的第一部分和第三部分，其中，使用具有與所述第一波長不同的第二波長的第二光束實施所述第二曝光；以及顯影所述光敏涂層。

根據本申請的實施例，提供了一種集成電路結構，包括：第一磁性層；第一導線和第二導線，位于所述第一磁性層上方并且彼此平行；以及介電層，包括：第一部分，位于所述第一導線正上方；第二部分，位于所述第一導線和所述第二導線之間；以及第三部分，位于組合區域的相對側上，其中，所述組合區域包括所述第一導線、所述第二導線和所述介電層的第二部分，其中，所述第三部分的側壁是傾斜的，傾斜角度小于40度。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1至圖7、圖8A、圖8B和圖9至圖14示出了根據一些實施例的電感器的形成中的中間階段的截面圖。

圖15示出了根據一些實施例的電感器的另一截面圖。

圖16示出了根據一些實施例的示出金屬凸塊的封裝組件的截面圖。

圖17示出了根據一些實施例的電感器的頂視圖。

圖18和圖19示出了根據一些實施例的作為波長的函數的光敏材料的吸收。

圖20示出了根據一些實施例的用于形成電感器的工藝流程。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現本發明的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。