[發(fā)明專利]隔聲結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910779529.0
• 申請日: 2019-08-22
• 公開（公告）號: CN110415674A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙俊娟;王月月;王文江;朱麗穎;李賢徽
• 申請（專利權(quán)）人: 北京市勞動保護(hù)科學(xué)研究所
• 主分類號: G10K11/16
• 分類號: G10K11/16
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 譚云

本發(fā)明涉及低頻噪聲隔聲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種隔聲結(jié)構(gòu)，包括基體單元和振膜單元，基體單元為中空的剛性殼體，殼體的內(nèi)側(cè)沿其軸向方向間隔設(shè)有多個振膜單元，振膜單元包括振膜及設(shè)置在振膜上的第二磁體，殼體的兩端為鏤空件，鏤空件上設(shè)有第一磁體，第一磁體對第二磁體產(chǎn)生吸力或斥力。在第一磁體對第二磁體的磁力作用下，振膜的張力狀態(tài)、形狀等特性發(fā)生改變，不同的磁力大小會使振膜的張力、形狀等發(fā)生不同的改變，因此改變磁力大小可以實(shí)現(xiàn)對于不同頻率聲音的阻隔，形成可調(diào)頻段的隔聲結(jié)構(gòu)。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，質(zhì)量輕，應(yīng)用環(huán)境廣泛，隔聲性能如頻率、相位、隔聲量等參數(shù)可調(diào)，實(shí)現(xiàn)隔聲性能的主動控制。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及低頻噪聲隔聲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種隔聲結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

低頻噪聲由于衰減時間長、穿透能力強(qiáng)等特點(diǎn)，其治理問題已日益突出。低頻隔聲結(jié)構(gòu)受質(zhì)量密度定律的限制，其厚重體積一直是聲學(xué)研究的難題。輕薄、空間緊湊的薄膜型聲學(xué)超材料基于局域共振原理可有效實(shí)現(xiàn)低頻控制，逐漸成為聲學(xué)研究熱點(diǎn)。常見薄膜型聲學(xué)超材料的低頻隔聲頻帶較窄，不能有效適應(yīng)工業(yè)工程領(lǐng)域等應(yīng)用場合。因此，需要一種輕質(zhì)、應(yīng)用環(huán)境廣泛、低頻寬帶可調(diào)的隔聲結(jié)構(gòu)才能更加滿足實(shí)際工程應(yīng)用環(huán)境的隔聲需求。

發(fā)明內(nèi)容

(一)要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的隔聲結(jié)構(gòu)的低頻隔聲頻帶較窄且難以實(shí)現(xiàn)對不同頻率聲音的可調(diào)節(jié)阻隔，無法適應(yīng)工程環(huán)境隔聲需求的問題。

(二)技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種隔聲結(jié)構(gòu)，包括基體單元和振膜單元，所述基體單元為中空的剛性殼體，所述殼體的內(nèi)側(cè)沿其軸向方向間隔設(shè)有多個所述振膜單元，所述振膜單元包括振膜及設(shè)置在所述振膜上的第二磁體，所述殼體的兩端為鏤空件，所述鏤空件上設(shè)有第一磁體，所述第一磁體對所述第二磁體產(chǎn)生吸力或斥力。

其中，所述振膜單元布設(shè)于所述殼體的內(nèi)周，所述第二磁體位于所述振膜上且與所述第一磁體相對設(shè)置。

其中，所述第一磁體可沿所述殼體的軸線方向移動，以調(diào)整其與所述第二磁體之間的距離。

其中，所述第一磁體設(shè)置于所述殼體端面的中心處。

其中，所述第二磁體為鐵片或磁片。

(三)有益效果

本發(fā)明的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明實(shí)施例的隔聲結(jié)構(gòu)，殼體內(nèi)部設(shè)置多個振膜單元，多個振膜單元沿殼體軸向依次分布在殼體的橫截面上，相互之間具有一定的間距，振膜單元包括振膜和設(shè)置在振膜上的第二磁體，殼體的兩端為鏤空狀，且設(shè)有第一磁體，第一磁體與第二磁體之間產(chǎn)生相互吸引或相互排斥的作用，在第一磁體對第二磁體的磁力作用下，振膜的張力狀態(tài)、形狀等特性發(fā)生改變，不同的磁力大小會使振膜的張力、形狀等發(fā)生不同的改變，因此改變磁力大小可以實(shí)現(xiàn)對于不同頻率聲音的阻隔，形成可調(diào)頻段的隔聲結(jié)構(gòu)。殼體兩端的端面為鏤空狀，聲波穿過鏤空件到達(dá)一個振膜單元的表面，該振膜單元在此鏤空件上的第一磁體的作用下張力狀態(tài)發(fā)生改變，在一定頻率范圍實(shí)現(xiàn)隔聲，聲波繼續(xù)傳播穿過該振膜單元到達(dá)另一振膜單元表面，以此類推直至傳遞至全部振膜單元后由另一鏤空件上釋放出，多個振膜單元布設(shè)形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)多頻率調(diào)節(jié)隔聲。本發(fā)明中采用殼體配合振膜單元及設(shè)置第一磁體的鏤空件，成為結(jié)構(gòu)簡單，質(zhì)量輕，應(yīng)用環(huán)境廣泛、隔聲性能如頻率、相位、隔聲量等參數(shù)可調(diào)的隔聲結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)隔聲性能的主動控制。

除了上面所描述的本發(fā)明解決的技術(shù)問題、構(gòu)成的技術(shù)方案的技術(shù)特征以及有這些技術(shù)方案的技術(shù)特征所帶來的優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明的其他技術(shù)特征及這些技術(shù)特征帶來的優(yōu)點(diǎn)，將結(jié)合附圖作出進(jìn)一步說明。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例隔聲結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。