[發明專利]一種合成DDR分子篩膜的方法在審
| 申請號： | 201910779384.4 | 申請日： | 2019-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN110605029A | 公開（公告）日： | 2019-12-24 |
| 發明（設計）人： | 張延風;徐寧;王明全;張野;孔琳 | 申請（專利權）人： | 上海工程技術大學 |
| 主分類號： | B01D67/00 | 分類號： | B01D67/00;B01D69/04;B01D71/02;C01B32/50;C10L3/10;B01D53/22 |
| 代理公司： | 31225 上?？剖⒅R產權代理有限公司 | 代理人： | 陳亮 |
| 地址： | 201620 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 分子篩膜 四乙基氫氧化銨 合成 分子篩 多孔載體管 金剛烷胺 晶種 母液 焙燒 分離選擇性 分子篩粉體 混合模板劑 臭氧氣氛 快速合成 水熱合成 亞微米級 晶化釜 水混合 硅源 活化 晶化 膜管 球磨 涂覆 脫除 洗滌 | ||
1.一種合成DDR分子篩膜的方法，其特征在于，包括
DDR分子篩粉體經球磨得到亞微米級的DDR分子篩晶種；
將硅源、金剛烷胺、四乙基氫氧化銨和水混合得到DDR分子篩膜合成母液；
將DDR分子篩晶種涂覆到多孔載體管上；
將DDR分子篩膜合成母液和多孔載體管置于晶化釜中；
晶化釜置于烘箱中進行水熱合成，合成結束后，得到膜管經洗滌、干燥；
在臭氧氣氛下焙燒脫除四乙基氫氧化銨，得到活化的DDR分子篩膜。
2.根據權利要求1所述的一種合成DDR分子篩膜的方法，其特征在于，所述硅源選自正硅酸四甲酯、正硅酸四乙酯、硅酸鈉、偏硅酸鈉、硅溶膠和白炭黑的一種或多種。
3.根據權利要求1或2所述的一種合成DDR分子篩膜的方法，其特征在于，所述硅源的SiO2、金剛烷胺、四乙基氫氧化銨、水的摩爾比為1：(0.005～0.5)：(0.01～0.2)：(0.05～100)。
4.根據權利要求1所述的一種合成DDR分子篩膜的方法，其特征在于，所述DDR分子篩晶種的涂覆方法包括刷涂、浸涂、噴涂或旋涂。
5.根據權利要求4所述的一種合成DDR分子篩膜的方法，其特征在于，采用浸涂時，DDR分子篩晶種的濃度為0.01～1wt％。
6.根據權利要求1所述的一種合成DDR分子篩膜的方法，其特征在于，所述多孔載體管的形狀包括單通道管狀、多通道管狀、平板狀或中空纖維管狀，材料包括陶瓷、不銹鋼、氧化鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化硅、碳化硅或氮化硅，孔徑為2～2000納米。
7.根據權利要求1所述的一種合成DDR分子篩膜的方法，其特征在于，所述水熱反應的溫度為160～240℃，時間為1～12小時。
8.根據權利要求1所述的一種合成DDR分子篩膜的方法，其特征在于，焙燒時控制溫度為100～300℃，焙燒時間為1～10天，焙燒氣氛為臭氧氣氛，臭氧濃度1～200毫克/升。
9.根據權利要求1所述的一種合成DDR分子篩膜的方法，其特征在于，將DDR分子篩粉體經球磨破碎為粒徑小于300納米的晶種。
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