[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910779348.8
• 申請(qǐng)日: 2017-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN110571158B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳天賜;陳光雄;王圣民;李育穎;彭淯慈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498;H01L25/065
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，所述半導(dǎo)體封裝包括襯底、接墊、第一絕緣層、互連層和預(yù)先形成的導(dǎo)電柱。所述第一絕緣層安置于所述襯底上，且包括開口。所述接墊安置于所述襯底上且從所述開口暴露。所述互連層安置于所述接墊上。所述預(yù)先形成的導(dǎo)電柱，其包括底部表面，所述底部表面具有安置于所述互連層上的第一部分以及安置于所述第一絕緣層上且接觸所述第一絕緣層的第二部分。

本申請(qǐng)是中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)枮椋?01710299264.5，申請(qǐng)日期為：2017年4月28日，以及申請(qǐng)名稱為：“半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法”的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

相關(guān)申請(qǐng)案的交叉參考

本申請(qǐng)案主張2016年6月20日申請(qǐng)的第62/352,299號(hào)以及2016年5月11日申請(qǐng)的第62/334,861號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案的權(quán)益和優(yōu)先權(quán)，其完整內(nèi)容以引入的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法。明確地說(shuō)，本發(fā)明涉及同時(shí)安置在焊膏和阻焊劑兩者上的銅柱。

背景技術(shù)

對(duì)于一些半導(dǎo)體封裝(由例如封裝上封裝(PoP)技術(shù)形成)，焊料球用于外部連接或互連。然而，焊料球的間距的長(zhǎng)度可妨礙小型化。細(xì)間距銅(Cu)柱技術(shù)可取而代之用于小型化。此類技術(shù)的一種方法是在鈍化層中形成孔以接納Cu柱。然而，歸因于Cu柱的相對(duì)較小的間距，將Cu柱植入孔中可能具有挑戰(zhàn)性。此類技術(shù)的間距可受機(jī)械加工工具能力限制。另一方法是將Cu柱安置在導(dǎo)電襯接墊上，且接著執(zhí)行后續(xù)操作。在此方法中，Cu柱直接安置在焊膏上(例如傳導(dǎo)接墊上)，其中焊膏的面積大于Cu柱的面積。在回焊操作期間，熔化的焊膏(其在加熱時(shí)可流動(dòng))可能無(wú)法支撐Cu柱。在這些情況下，Cu柱可能被流動(dòng)的焊膏移動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容

在一些實(shí)施例中，根據(jù)一方面，一種半導(dǎo)體封裝包括襯底、接墊、第一絕緣層、互連層和導(dǎo)電柱。所述襯底具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面。所述接墊包含第一部分和第二部分，且安置于所述襯底的第一表面上。所述第一絕緣層安置于所述第一表面上，且覆蓋所述接墊的所述第一部分，且所述第一絕緣層具有頂部表面。所述互連層安置于所述接墊的所述第二部分上，且具有頂部表面。所述導(dǎo)電柱安置于所述第一絕緣層的所述頂部表面上以及所述互連層的所述頂部表面上。所述第一絕緣層的所述頂部表面與所述互連層的所述頂部表面大體上共面。

在一些實(shí)施例中，根據(jù)另一方面，一種半導(dǎo)體封裝包括襯底、導(dǎo)電接墊、第一絕緣層、互連層、第二絕緣層和導(dǎo)電柱。所述襯底具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面。所述導(dǎo)電接墊安置于所述襯底的所述第一表面上，且包含第一部分、第二部分和第三部分。所述第一絕緣層安置于所述導(dǎo)電接墊的所述第一部分上。所述互連層安置于所述接墊的所述第二部分上，且具有頂部表面。所述第二絕緣層安置于所述接墊的所述第三部分上。所述導(dǎo)電柱安置于所述互連層上以及所述第一絕緣層上。所述互連層的所述頂部表面與所述第一絕緣層的所述頂部表面大體上共面。

在一些實(shí)施例中，根據(jù)另一方面，一種制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法包含：提供襯底，其具有第一表面、與所述第一表面相對(duì)的第二表面，以及包含所述第一表面上的第一部分和第二部分的導(dǎo)電接墊；形成第一絕緣層以覆蓋所述導(dǎo)電接墊的所述第一部分，所述第一絕緣層具有頂部表面；將導(dǎo)電層安置在所述導(dǎo)電接墊的所述第二部分上，所述導(dǎo)電層具有頂部表面；以及將導(dǎo)電元件安置在所述第一絕緣層的所述頂部表面以及所述導(dǎo)電層的所述頂部表面上；其中所述第一絕緣層的所述頂部表面和所述導(dǎo)電層的所述頂部表面大體上共面。

附圖說(shuō)明

圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的透視圖。

圖1B是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的橫截面視圖。

圖1C是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的橫截面視圖。

圖2A說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝中的導(dǎo)電柱的布局。