[發(fā)明專利]一種脈沖功率交流老化試驗(yàn)平臺(tái)及試驗(yàn)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910778881.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110470967B | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫兆龍;袁志方;劉小虎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)人民解放軍海軍工程大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人: | 楊采良 |
| 地址: | 430033 *** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 脈沖 功率 交流 老化試驗(yàn) 平臺(tái) 試驗(yàn) 方法 | ||
1.一種脈沖功率交流老化試驗(yàn)平臺(tái),用于對(duì)脈沖功率條件下IGBT模塊的老化情況進(jìn)行測(cè)試,并對(duì)IGBT模塊的壽命進(jìn)行評(píng)估,其特征在于:包括以下單元:
主電路單元,包括全橋逆變器主電路及IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路;主電路工作在脈沖功率的模式下,用于模擬完整的老化周期;
測(cè)量電路單元,包括IGBT模塊飽和壓降測(cè)量電路和IGBT模塊結(jié)殼熱阻測(cè)量電路,用于實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT模塊的飽和壓降和結(jié)殼熱阻的測(cè)量;
保護(hù)電路單元,用于對(duì)試驗(yàn)平臺(tái)進(jìn)行相應(yīng)的保護(hù),試驗(yàn)平臺(tái)基于直流母線短路電流進(jìn)行保護(hù);
信息處理單元,用于對(duì)試驗(yàn)過程中的各種信息進(jìn)行控制和處理;
上位機(jī),用于接收信息處理單元發(fā)送過來的各種信息并進(jìn)行顯示與控制;
所述主電路單元采用H橋逆變結(jié)構(gòu),在母線電容處和母線處加入一個(gè)兩IGBT封裝的IGBT模塊,其上管為母線電容開關(guān),下管為母線開關(guān);上管開通時(shí),允許母線電容放電,反之,則母線電容不放電;下管開通時(shí),允許直流電源或母線電容對(duì)主電路提供電能,反之,則通過二極管阻斷電源側(cè)和主電路的連接;
所述保護(hù)電路單元包括系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和IGBT模塊級(jí)保護(hù);所述系統(tǒng)級(jí)保護(hù)用于防止系統(tǒng)過壓運(yùn)行導(dǎo)致的母線電容損壞、IGBT過壓擊穿或絕緣擊穿;合理配置直流側(cè)直流電源的過電壓保護(hù)閾值對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行過電壓保護(hù),當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生過壓現(xiàn)象時(shí),電源輸出電壓被鎖定為保護(hù)閾值,從而保護(hù)系統(tǒng)整體不受損害;所述IGBT模塊級(jí)保護(hù)考慮過流保護(hù),有兩個(gè)實(shí)現(xiàn)方式:一是監(jiān)測(cè)母線電流,當(dāng)發(fā)現(xiàn)短路電流時(shí)對(duì)IGBT進(jìn)行軟/硬關(guān)斷;另一則是監(jiān)測(cè)IGBT飽和壓降,當(dāng)全橋電路發(fā)生直通短路時(shí),IGBT電流迅速增大,CE兩端的壓降也隨之升高,IGBT退出飽和區(qū)進(jìn)入線性區(qū);
通過改變相關(guān)IGBT驅(qū)動(dòng)板電阻大小來配置IGBT驅(qū)動(dòng)板過流保護(hù)參數(shù);
所述IGBT模塊飽和壓降測(cè)量電路采用可隔離直流母線高壓的測(cè)量電路,對(duì)應(yīng)IGBT關(guān)斷時(shí),集電極的高壓將被二極管阻斷,保護(hù)后級(jí)運(yùn)放和AD芯片;所述IGBT模塊結(jié)殼熱阻測(cè)量根據(jù)熱阻定義式,待器件達(dá)到熱穩(wěn)態(tài)的時(shí)候采集結(jié)溫和殼溫進(jìn)行計(jì)算,其中,Tj為結(jié)溫,Tc為殼溫,PH為加熱功率,Rth_JC為IGBT模塊結(jié)殼熱阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖功率交流老化試驗(yàn)平臺(tái),其特征在于:將一個(gè)半橋封裝的IGBT模塊反接接入母線;在上下管均關(guān)斷的時(shí)候,上管中的反并聯(lián)二極管保證電容不放電;下管中的反并聯(lián)二極管阻斷電源的輸入;用于實(shí)現(xiàn)老化、測(cè)量一體化和自動(dòng)化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖功率交流老化試驗(yàn)平臺(tái),其特征在于:所述信息處理單元采用SCI或SPI進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)數(shù)字控制,并將信息通過RS232或RS485傳送至上位機(jī)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖功率交流老化試驗(yàn)平臺(tái),其特征在于:所述上位機(jī)主要包括以下幾個(gè)部分:
管理員登錄系統(tǒng):用于管理員登錄,僅當(dāng)用戶名和密碼均正確時(shí)才能進(jìn)入系統(tǒng);
電源參數(shù)設(shè)置:用于設(shè)置直流電源的參數(shù),包括老化階段的電壓、電流以及測(cè)量階段的電壓、電流;
平臺(tái)控制及監(jiān)測(cè):上位機(jī)控制平臺(tái)的啟停;平臺(tái)工作階段實(shí)時(shí)顯示,包括老化階段或測(cè)量階段;平臺(tái)工作狀態(tài)實(shí)時(shí)顯示,包括平臺(tái)正常工作或異常工作報(bào)警;IGBT模塊老化進(jìn)程實(shí)時(shí)顯示,包括模塊老化次數(shù)、老化過程中結(jié)溫殼溫波形和老化特征量;
歷史數(shù)據(jù)查詢:實(shí)現(xiàn)IGBT模塊老化特征量的存儲(chǔ),上位機(jī)通過選擇查詢條件查詢相應(yīng)老化特征量的變化曲線圖,查詢條件包括老化次數(shù)及老化特征量;
平臺(tái)初始化:用于開始老化一個(gè)新模塊之前清空上一個(gè)老化模塊的所有老化數(shù)據(jù)。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試





