[發(fā)明專利]顯示設備

在審

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• 申請日: 2019-08-22
• 公開（公告）號: CN110858630A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發(fā)明（設計）人: 徐政漢;成宇鏞
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;G09F9/33
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286
• 代理人: 程月;劉燦強

1.一種顯示設備，所述顯示設備包括：

基底，包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域的外側(cè)的外圍區(qū)域；

無機絕緣層，堆疊在所述基底上，并且位于所述顯示區(qū)域和所述外圍區(qū)域中；

有機絕緣層，位于所述無機絕緣層上；

貫穿部分，位于所述顯示區(qū)域中，并且穿透所述基底、所述無機絕緣層和所述有機絕緣層；以及

至少一個凹槽，圍繞所述貫穿部分，

其中，所述無機絕緣層的端部在所述至少一個凹槽的外側(cè)處被所述有機絕緣層覆蓋，并且所述端部面對所述貫穿部分。

2.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備，其中，所述至少一個凹槽包括圍繞所述貫穿部分的第一凹槽以及與所述第一凹槽分隔開并圍繞所述第一凹槽的第二凹槽，

第一區(qū)域位于所述顯示區(qū)域與所述第二凹槽之間，第二區(qū)域位于所述第一凹槽與所述第二凹槽之間，并且第三區(qū)域位于所述第一凹槽與所述貫穿部分之間，并且

在所述第一區(qū)域中，所述無機絕緣層的所述端部被所述有機絕緣層覆蓋。

3.根據(jù)權利要求1所述的顯示設備，所述顯示設備還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管位于所述基底上且位于所述顯示區(qū)域中，并且包括半導體層、柵電極、源電極和漏電極，

其中，所述無機絕緣層包括第一無機絕緣層和第二無機絕緣層中的至少一個，所述第一無機絕緣層位于所述半導體層與所述柵電極之間，所述第二無機絕緣層位于所述柵電極與所述源電極和所述漏電極之間。

4.根據(jù)權利要求2所述的顯示設備，所述顯示設備還包括薄膜晶體管和顯示器件，其中，所述薄膜晶體管位于所述基底上且位于所述顯示區(qū)域中，并且所述顯示器件電連接到所述薄膜晶體管，

其中，所述有機絕緣層包括第一有機絕緣層和第二有機絕緣層中的至少一個，其中，所述第一有機絕緣層覆蓋所述薄膜晶體管，并且所述第二有機絕緣層位于所述第一有機絕緣層上。

5.根據(jù)權利要求4所述的顯示設備，其中，在所述第一區(qū)域中，所述無機絕緣層的遠離所述第一有機絕緣層突出的所述端部被所述第二有機絕緣層覆蓋。

6.根據(jù)權利要求4所述的顯示設備，其中，所述顯示器件包括中間層、像素電極和對電極，并且

所述第二有機絕緣層使所述像素電極的至少一部分暴露。

7.根據(jù)權利要求2所述的顯示設備，其中，所述無機絕緣層位于所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域中，并且不位于所述第二區(qū)域中。

8.根據(jù)權利要求2所述的顯示設備，其中，阻擋部分位于所述第二區(qū)域中，所述阻擋部分包括與所述有機絕緣層中包括的材料相同的材料。

9.根據(jù)權利要求2所述的顯示設備，其中，所述基底還包括順序地堆疊的第一基體層、第一阻擋層、第二基體層和第二阻擋層，

所述第一凹槽和所述第二凹槽均從所述第二阻擋層延伸到所述第二基體層的一部分，并且

所述第二阻擋層包括一對第一尖端和一對第二尖端，所述一對第一尖端在所述第一凹槽的敞開的上部處彼此面對并朝向彼此延伸，并且所述一對第二尖端在所述第二凹槽的敞開的上部處彼此面對并朝向彼此延伸。

10.根據(jù)權利要求9所述的顯示設備，所述顯示設備還包括位于所述有機絕緣層上的封裝層，

其中，所述封裝層包括第一無機封裝層、第二無機封裝層和位于所述第一無機封裝層與所述第二無機封裝層之間的有機封裝層，

所述有機封裝層填充所述第二凹槽，并且

所述第一無機封裝層和所述第二無機封裝層在所述第一凹槽中彼此接觸。