[發明專利]基于波分復用和耦合技術的單管超輻射發光二極管超寬帶光源

在審

• 申請號: 201910774611.4
• 申請日: 2019-08-21
• 公開（公告）號: CN110456466A
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 漆啟年;孫曉波;張敏杰;許平平;李同寧;游毓麒
• 申請（專利權）人: 無錫源清瑞光激光科技有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 32260 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 朱曉林<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.基于波分復用和耦合技術的單管超輻射發光二極管超寬帶光源，其特征在于，包括第一SLED芯片、第二SLED芯片、第一準直透鏡、第二準直透鏡、和第一波分復用濾波片，所述第一準直透鏡位于所述第一SLED芯片的發光側，所述第二準直透鏡位于所述第二SLED芯片的發光側，所述第一波分復用濾波片的一端面所在平面和所述第一準直透鏡光軸的夾角為44-46度，所述第一波分復用濾波片的另一端面所在平面和所述第二準直透鏡的光軸的夾角為44-46度。

2.根據權利要求1所述的基于波分復用和耦合技術的單管超輻射發光二極管超寬帶光源，其特征在于，還包括第三SLED芯片、第三準直透鏡和第二波分復用濾波片，所述第三準直透鏡位于所述第三SLED芯片的發光側，所述第二波分復用濾波片的一端面所在平面和所述第一準直透鏡光軸的夾角為44-46度，所述第二波分復用濾波片的另一端面所在平面和所述第三準直透鏡的光軸的夾角為44-46度。

3.根據權利要求1或2所述的基于波分復用和耦合技術的單管超輻射發光二極管超寬帶光源，其特征在于，還包括管殼、TEC控溫芯片和熱沉，所述管殼為一腔體，所述TEC控溫芯片安裝在腔體的內底面上且TEC控溫芯片的冷面朝上，所述熱沉固定在所述TEC控溫芯片的冷面上，所述第一SLED芯片、所述第二SLED芯片和所述第三SLED芯片通過過渡熱沉固定在熱沉上；所述第一準直透鏡、所述第二準直透鏡、所述第三準直透鏡、第一波分復用濾波片和第二波分復用濾波片都固定在所述熱沉上。

4.根據權利要求3所述的基于波分復用和耦合技術的單管超輻射發光二極管超寬帶光源，其特征在于，還包括PD探測器芯片組件和熱敏電阻組件，所述PD探測器芯片組件包括PD探測器芯片和陶瓷絕緣墊片，PD探測器芯片安裝在所述陶瓷絕緣墊片上，所述熱敏電阻組件包括熱敏電阻和陶瓷墊片，所述熱敏電阻安裝在所述陶瓷墊片上，所述PD探測器芯片組件和所述熱敏電阻組件均安裝在所述熱沉上。

5.根據權利要求3所述的基于波分復用和耦合技術的單管超輻射發光二極管超寬帶光源，其特征在于，還包括光纖準直器，所述光纖準直器安裝在所述管殼的側面，所述第二波分復用濾波片的另一端面所在平面和所述光纖準直器光軸的夾角為134-136度。

6.根據權利要求5所述的基于波分復用和耦合技術的單管超輻射發光二極管超寬帶光源，其特征在于，所述光纖準直器包括聚焦透鏡和輸出光纖，所述輸出光纖位于所述聚焦透鏡的聚焦點處。