[發(fā)明專利]一種苦參堿的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910773604.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110483517A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-11-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫偉年 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 孫偉年 |
| 主分類號(hào): | C07D471/22 | 分類號(hào): | C07D471/22;B82Y5/00;A01N43/90;A01P7/04 |
| 代理公司: | 41160 鄭州慧廣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人: | 董曉慧<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入 |
| 地址: | 750000 寧夏回族自治*** | 國(guó)省代碼: | 寧夏;64 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 苦參堿 氯化鈉溶液 脈沖刺激器 玻璃器皿 初級(jí)原料 原料液 曬干 分離器 脈沖電流刺激 粒子粒徑 噴霧干燥 原料清洗 正負(fù)電極 研磨 高純度 水混合 原粉 制備 清洗 取出 生產(chǎn) | ||
1.一種苦參堿的制備方法,其特征在于,包括下列步驟:
1)將制苦參堿的原料清洗后投入盛有氯化鈉溶液的玻璃器皿中,脈沖刺激器的正負(fù)電極片分別位于所述玻璃器皿內(nèi)兩端的氯化鈉溶液中,經(jīng)過(guò)脈沖電流刺激后,關(guān)閉脈沖刺激器,取出原料進(jìn)行清洗曬干;
2)曬干后的原料進(jìn)行粉碎,粉碎至20~30目后與水混合,得到干濕比為1~2:0.6~3.5的初級(jí)原料液;
3)將初級(jí)原料液進(jìn)行研磨至其中粒子粒徑小于100微米得到中級(jí)原料液;
4)將中級(jí)原料液進(jìn)行CO2超臨界萃取,然后經(jīng)過(guò)分離器分離兩次,噴霧干燥,制得含量大于50%小于75%的苦參堿原粉。
2.如權(quán)利要求1所述的一種苦參堿的制備方法,其特征在于:還包括步驟5)將苦參堿原粉與水混合,得到干濕比為1:4~8的苦參堿液,將苦參堿液研磨,研磨至其中粒子直徑小于30微米,研磨好的苦參堿液進(jìn)行萃取,得到粒子平均粒徑小于1000nm的苦參堿液,其中粒徑小于900nm的粒子占所有粒子總量的95%以上;
6)將萃取后的苦參堿漿液置于低溫真空濃縮設(shè)備內(nèi)對(duì)其進(jìn)行濃縮至含水率低于80%。
3.如權(quán)利要求2所述的一種苦參堿的制備方法,其特征在于:所述步驟5)中的萃取包括超臨界萃取、微波萃取、超聲波萃取、超高壓萃取與納米研磨萃取中的一種或多種組合。
4.如權(quán)利要求3所述的一種苦參堿的制備方法,其特征在于:所述超臨界萃取采用壓力為25~80MPa,功率5~25KW,溫度為≤40℃,液體流量為1000~1500L/h;
微波萃取采用的頻率為300~900MHz,功率為5~25KW,溫度為≤40℃;
超聲波萃取采用的頻率為20~50KHz,功率為5~25KW,溫度為≤40℃;
超高壓萃取采用的壓力為200~300MPa,功率為5~25KW,溫度為≤40℃,液體流量為1000~1500L/h;
納米研磨萃取采用的壓力為50~80MPa,功率為5~25KW,溫度為≤40℃,液體流量為1000~5000L/h。
5.如權(quán)利要求2所述的一種苦參堿的制備方法,其特征在于:所述6)中濃縮后苦參堿漿液通過(guò)低溫真空干燥設(shè)備使其含水量低于15%,得到固體高純度納米苦參堿。
6.如權(quán)利要求1所述的一種苦參堿的制備方法,其特征在于:所述步驟1)中所述正負(fù)電極片的電流由所述脈沖刺激器經(jīng)20MΩ電阻提供。
7.如權(quán)利要求1所述的一種苦參堿的制備方法,其特征在于:所述步驟4)中CO2超臨界萃取,壓力控制在20~40MPa,溫度控制在25~40℃,時(shí)間為30~60min。
8.如權(quán)利要求1所述的一種苦參堿的制備方法,其特征在于:所述研磨采用膠體磨或錐體磨其中的一種。
9.如權(quán)利要求1所述的一種苦參堿的制備方法,其特征在于:所述步驟1)中原料包括苦參、苦豆子、山豆根等含有苦參堿的植物。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于孫偉年,未經(jīng)孫偉年許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910773604.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C07D 雜環(huán)化合物
C07D471-00 在稠環(huán)系中含有氮原子作為僅有的雜環(huán)原子、其中至少1個(gè)環(huán)是含有1個(gè)氮原子的六元環(huán)的雜環(huán)化合物,C07D 451/00至C07D 463/00不包括的
C07D471-02 .在稠環(huán)系中含兩個(gè)雜環(huán)
C07D471-12 .在稠環(huán)系中含3個(gè)雜環(huán)
C07D471-22 .在稠環(huán)系中含有4個(gè)或更多個(gè)雜環(huán)
C07D471-14 ..鄰位稠合系
C07D471-16 ..迫位稠合系





