[發明專利]一種激光SE電池的生產線在審
| 申請號: | 201910772103.2 | 申請日: | 2019-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN110416368A | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 符黎明;任常瑞;王敏;陳穎 | 申請(專利權)人: | 常州時創能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 213300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鏈式 硅片 氧化爐 激光摻雜 輸送機構 刻蝕機 石英舟 激光 熱氧化處理 碎片發生率 輸送過程 依次設置 輸出 插片 產能 取片 裝載 接力 | ||
本發明公開了一種激光SE電池的生產線,包括依次設置的:激光摻雜機,鏈式氧化爐,以及鏈式刻蝕機;這三個設備的輸送機構依次對接。硅片可由這三個設備的輸送機構接力輸送;激光摻雜機輸出的激光摻雜處理后硅片可直接輸入鏈式氧化爐,鏈式氧化爐輸出的熱氧化處理后硅片可進直接輸入鏈式刻蝕機。鏈式氧化爐中的硅片可在第二輸送機構的輸送過程中被氧化,故鏈式氧化爐可連續生產,可大大提高產能;且本發明不需要采用石英舟裝載硅片,可省去石英舟的插片和取片動作,可大大減少硅片的碎片發生率。
技術領域
本發明涉及光伏領域,具體涉及一種激光SE電池的生產線。
背景技術
SE(Selective Emitter選擇性發射極)太陽能電池制造過程中,需要采用激光摻雜機對金屬柵線(電極)與硅片接觸部位進行激光開槽重摻,但激光掃描過程中,激光開槽區域的PSG會被破壞,在后續的刻蝕步驟中(刻蝕步驟在刻蝕設備中實施),被破壞的PSG不足以保護激光開槽區域,激光開槽區域會被刻蝕液(如堿刻蝕液)腐蝕,以致短路電流、開路電壓和填充因子均低。
為了解決上述問題,需要在激光摻雜步驟和刻蝕步驟中間增加氧化步驟,通過氧化處理使激光開槽區域覆蓋氧化層,該氧化層可在硅片刻蝕(如堿刻蝕)過程中保護激光開槽區域,避免激光開槽區域被刻蝕液(如堿刻蝕液)腐蝕。
目前一般在管式氧化設備中實施上述氧化步驟,管式氧化設備需要采用石英舟裝載硅片,先將硅片插入石英舟,再將裝滿硅片的石英舟放入管式氧化設備的石英管中,石英管中通入氧氣,且在石英管外壁使用電阻絲加熱的方式給硅片加熱,從而在硅片表面形成氧化層(氧化層覆蓋激光開槽區域),氧化完成后,將石英舟從石英管中取出,再將硅片從石英舟匯中取出。
雖然管式氧化設備能夠實施上述氧化步驟,但使用管式氧化設備實施上述氧化步驟會存在較多缺陷:
1、產能低:管式氧化設備需要采用石英舟裝載硅片,而石英舟進出石英管需要時間,且石英舟從石英管中取出后需要經歷降溫過程,導致產能低,會成為光伏制造廠商的生產瓶頸。
2、硅片碎片率高:管式氧化設備需要采用石英舟裝載硅片,而將硅片插入石英舟是個復雜的動作,插片過程中可能會損傷硅片,且硅片氧化完成后,還需要將硅片從石英舟中取出,取片過程中也可能會損傷硅片,造成硅片碎片率高。
3、設備對接不方便:管式氧化設備需要采用石英舟裝載硅片,而石英舟需要配套插片設備和取片設備,不方便管式氧化設備與前道設備(激光摻雜機)、后道設備(刻蝕設備)對接。
發明內容
為了解決現有技術中的缺陷,本發明提供一種激光SE電池的生產線,包括依次設置的:
激光摻雜機,其對擴散處理后的硅片進行激光摻雜處理;
鏈式氧化爐,其對激光摻雜處理后的硅片進行熱氧化處理;
以及鏈式刻蝕機,其對熱氧化處理后的硅片進行刻蝕處理;
所述激光摻雜機設有:用于輸出激光摻雜處理后硅片的第一輸送機構;第一輸送機構為傳送帶或輥道;
所述鏈式氧化爐設有:用于輸送硅片的第二輸送機構;第二輸送機構為傳送帶或輥道;
所述鏈式刻蝕機設有:用于輸送硅片的第三輸送機構;第三輸送機構為輥道;
所述第一輸送機構的輸出端與第二輸送機構的輸入端對接,第二輸送機構的輸出端與第三輸送機構的輸入端對接。
本發明激光SE電池生產線的激光摻雜機、鏈式氧化爐和鏈式刻蝕機都設有輸送機構,這三個設備的輸送機構可依次對接,當這三個設備的輸送機構依次對接后,硅片可由這三個設備的輸送機構接力輸送;激光摻雜機輸出的激光摻雜處理后硅片可直接輸入鏈式氧化爐,鏈式氧化爐輸出的熱氧化處理后硅片可進直接輸入鏈式刻蝕機。
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





