[發(fā)明專利]量子點(diǎn)彩膜及顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910768661.1
• 申請(qǐng)日: 2019-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN110568654A
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐曉波;馬卜;邢澤詠;王允軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州星爍納米科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1335
• 分類號(hào): G02F1/1335;G02F1/13357;H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種量子點(diǎn)彩膜，其特征在于，包括：

透明基板；

設(shè)置在所述透明基板表面上的具有多個(gè)像素開口的黑矩陣；

至少部分所述像素開口中含有量子點(diǎn)聚合物層，所述量子點(diǎn)聚合物層包括聚合物基質(zhì)和分散在所述聚合物基質(zhì)中的量子點(diǎn)；

所述含有量子點(diǎn)聚合物層的像素開口的內(nèi)壁具有低折射率層；

所述量子點(diǎn)聚合物層的折射率大于所述低折射率層的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述量子點(diǎn)彩膜，其特征在于，所述低折射率層包括高分子材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述量子點(diǎn)彩膜，其特征在于，所述聚合物基質(zhì)的折射率大于所述高分子材料的折射率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述量子點(diǎn)彩膜，其特征在于，所述低折射率層的厚度在50-200納米之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述量子點(diǎn)彩膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)聚合物層的厚度與所述像素開口的深度基本相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述量子點(diǎn)彩膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)聚合物層與所述透明基板之間還設(shè)置有濾色層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述量子點(diǎn)彩膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)聚合物層的遠(yuǎn)離所述透明基板的一側(cè)設(shè)置有封裝層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述量子點(diǎn)彩膜，其特征在于，所述像素開口中的量子點(diǎn)聚合物層包括發(fā)射第一種光的第一部，和發(fā)射第二種光的第二部。

9.顯示裝置，其特征在于，包括：

背光單元，以及如權(quán)利要求1至8中任一所述的量子點(diǎn)彩膜，和介于所述背光單元與所述量子點(diǎn)彩膜之間的液晶層。

10.顯示裝置，其特征在于，包括：

具有多個(gè)像素區(qū)域的基板；

電致發(fā)光器件，位于所述像素區(qū)域中；

以及，面對(duì)所述基板的如權(quán)利要求1至8中任一所述的量子點(diǎn)彩膜，所述量子點(diǎn)彩膜的像素開口與所述基板的像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置。