[發明專利]一種柔性Ag/MoS2 有效
| 申請號： | 201910767980.0 | 申請日： | 2019-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN110379922B | 公開（公告）日： | 2023-01-31 |
| 發明（設計）人： | 堅佳瑩;馮浩;董芃凡;常洪龍;堅增運 | 申請（專利權）人： | 西安工業大學 |
| 主分類號： | H10N70/20 | 分類號： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人： | 李鳳鳴 |
| 地址： | 710032 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 柔性 ag mos base sub | ||
1.一種柔性Ag/MoS2/Cu阻變式存儲器的制備方法，其特征在于，該方法具體步驟如下：
步驟1）、配制濃度為0.015~0.05 g/ml的淀粉溶液；
步驟2）、將清洗過的玻璃片放在勻膠機中樣品托的中心位置，把配制好的淀粉溶液滴涂在玻璃片上，設置勻膠機的轉速和時間，啟動勻膠機；
步驟3）、重復步驟2)四次；
步驟4）、采用真空蒸發鍍膜在淀粉薄膜的玻璃片上蒸鍍厚度為50~500nm的金屬襯底薄膜；
步驟5）、將采用水熱法制備出的MoS2在異丙醇中球磨處理2~6h，制備MoS2懸浮液；
步驟6）、在底電極上采用旋涂法制備一層MoS2薄膜；
步驟7）、采用真空蒸發鍍膜在MoS2薄膜上蒸鍍直徑250μm、厚度為50~500nm的頂電極；
步驟8）、將制備好的器件放入去離子水中，水溶性淀粉犧牲層溶解，Ag/MoS2/Cu阻變存儲器與玻璃片完全分離后將器件轉移到不同襯底上，采用吉時利(keithely)4200-SCS半導體特性分析儀進行阻變特性測試；
步驟2)中，玻璃片大小為20 mm×20 mm×2 mm，將玻璃片分別在丙酮和無水乙醇中超聲清洗10 min，再用去離子水沖洗并用氮氣槍吹走玻璃片表面的水分；設置勻膠機的參數為：低轉速500 rpm、時間20 s，高轉速1000~3000 rpm、時間99 s；
步驟4)中，真空蒸鍍的條件為：蒸鍍速率為1~2 ?/s、本底真空小于5×10-4 Pa、蒸鍍功率為160~190 w；
步驟5)中，以鉬酸銨、硫脲、鹽酸羥胺為原料通過水熱法制備MoS2，制備MoS2懸浮液所需MoS2的量為1~4g、異丙醇的體積為10~40ml；
步驟7)中，真空蒸鍍的條件為：蒸鍍速率為1~2 ? /s、本底真空小于5×10-4 Pa、蒸鍍功率為130~160 w。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安工業大學，未經西安工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910767980.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
