[發(fā)明專利]基于縫隙耦合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)反射陣天線

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910766905.2
• 申請(qǐng)日: 2019-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN110518358A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙鋼;羅傳威;陳官韜;焦永昌;丁金閃;張立;翁子彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01Q3/36
• 分類號(hào): H01Q3/36;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q21/06
• 代理公司: 61205 陜西電子工業(yè)專利中心
• 代理人: 田文英;王品華<國際申請(qǐng)>=<國際公布>

1.一種基于縫隙耦合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)反射陣天線，包括反射陣列(1)、第一介質(zhì)板(2)、第一地板(3)、第二介質(zhì)板(4)、相移延遲線(5)、直流偏置線(6)、第二地板(7)、控制電路(8)；其特征在于，所述的反射陣列(1)由M×N個(gè)相同的金屬輻射體(9)以半波長為周期組成，其中，M、N為1<M<50，1<N<50中的任意一個(gè)整數(shù)；所述的第一介質(zhì)板(2)與第二介質(zhì)板(4)壓合成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)；所述的第一地板(3)位于第一介質(zhì)板(2)的下表面，第二地板(7)位于第二介質(zhì)基板(4)的下方；所述的相移延遲線(5)上加載一個(gè)PIN二極管(10)；所述的相移延遲線(5)上設(shè)置短路扇形結(jié)構(gòu)(11)；所述的相移延遲線(5)為倒L型，由兩段微帶線組成；所述的直流偏置線(6)上設(shè)置扇形枝節(jié)(12)；所述的直流偏置線(6)與相移延遲線(5)連接；所述的控制電路(9)與直流偏置線(6)連接；所述的直流控制電路(9)包括主控芯片(13)、數(shù)字邏輯芯片(14)、驅(qū)動(dòng)芯片(15)、指示燈(16)、自檢端子(17)；主控芯片(13)與數(shù)字邏輯芯片(14)連接，數(shù)字驅(qū)動(dòng)芯片(15)與指示燈(16)連接，自檢端子(17)與地線連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于縫隙耦合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)反射陣天線，其特征在于，所述的反射陣列(1)中的金屬輻射體(10)的半徑R取值范圍為5～7mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于縫隙耦合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)反射陣天線，其特征在于，所述的第一地板(3)、第二地板(7)均采用金屬結(jié)構(gòu)，第一地板(3)的縫隙長度取值范圍為10～18mm，縫隙寬度取值范圍為1～2mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于縫隙耦合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)反射陣天線，其特征在于，所述的相移延遲線(5)的長度L₁+L₂取值范圍為5～25mm，寬度取值范圍為1.5～2.5mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于縫隙耦合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)反射陣天線，其特征在于，所述的直流偏置線(6)寬度取值范圍為0.1～0.5mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于縫隙耦合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)反射陣天線，其特征在于，所述的第二地板(7)與第二介質(zhì)板(4)距離取值范圍為3～10mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于縫隙耦合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)反射陣天線，其特征在于，所述的短路扇形結(jié)構(gòu)(12)的半徑R₁取值范圍為2～4mm，扇形弧度θ取值范圍為60°～120°。