[發(fā)明專(zhuān)利]一種藍(lán)寶石襯底的表面處理方法及其使用的坩堝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910766027.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110491774B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮博淵;丁孫安;李坊森;馮加貴;何高航;程飛宇;武彪 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02;C30B25/18;C30B33/00 |
| 代理公司: | 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 藍(lán)寶石 襯底 表面 處理 方法 及其 使用 坩堝 | ||
1.一種藍(lán)寶石襯底的表面處理方法,其特征在于,所述方法包括將藍(lán)寶石襯底置于坩堝上,之后退火處理,得到表面為原子級(jí)臺(tái)階的藍(lán)寶石襯底,所述藍(lán)寶石襯底與坩堝的接觸面積≤藍(lán)寶石襯底的單側(cè)表面面積的2%;
所述藍(lán)寶石襯底為C面藍(lán)寶石襯底;
所述藍(lán)寶石襯底的直徑為2-3英寸。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述藍(lán)寶石襯底進(jìn)行退火處理前還包括將藍(lán)寶石襯底進(jìn)行清洗。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述清洗包括有機(jī)清洗和去離子水清洗。
4.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述有機(jī)清洗的清洗劑包括丙酮、異丙醇和酒精。
5.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述清洗的方法包括將藍(lán)寶石襯底依次用丙酮、異丙醇、酒精和去離子水各超聲清洗5-10min。
6.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述清洗后還包括用氮?dú)鈱⑶逑春蟮乃{(lán)寶石襯底吹干。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述藍(lán)寶石襯底的平面平行于水平面。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述藍(lán)寶石襯底為單面拋光,所述拋光的單面不與坩堝接觸。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述坩堝與藍(lán)寶石襯底間為線面接觸。
10.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述退火處理在氧氣氣氛下進(jìn)行。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,所述氧氣氣氛為流動(dòng)的氧氣。
12.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,所述氧氣氣氛的氣壓為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的1-1.5倍。
13.如權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,所述氧氣的流速為60-80sccm。
14.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述退火處理的溫度為1100-1400℃。
15.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述退火處理的時(shí)間為3-5h。
16.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述退火處理在管式爐中進(jìn)行。
17.如權(quán)利要求16所述的方法,其特征在于,所述藍(lán)寶石襯底與管式爐的爐壁間的距離為0.5-1cm。
18.如權(quán)利要求1-17任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(1)將藍(lán)寶石襯底依次經(jīng)丙酮、異丙醇、酒精和去離子水各超聲清洗5-10min,利用氮?dú)獯蹈伤{(lán)寶石襯底的表面;
(2)將吹干后的藍(lán)寶石襯底水平置于坩堝上,所述坩堝與藍(lán)寶石襯底間的接觸面積≤藍(lán)寶石襯底的單側(cè)表面面積的2%,之后在氧氣氣氛下,1100-1400℃下退火處理3-5h,得到表面為原子級(jí)臺(tái)階的藍(lán)寶石襯底,所述氧氣的流速為60-80sccm,氧氣氣氛的氣壓為標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的1-1.5倍。
19.一種如權(quán)利要求1-18任一項(xiàng)所述的藍(lán)寶石襯底的表面處理方法采用的坩堝,其特征在于,所述坩堝包括柱形殼體(1),所述柱形殼體(1)的一端為開(kāi)口端(10),所述開(kāi)口端(10)用于放置藍(lán)寶石襯底。
20.如權(quán)利要求19所述的坩堝,其特征在于,所述坩堝包括托盤(pán)(2),所述柱形殼體(1)上與開(kāi)口端(10)相對(duì)的一端與托盤(pán)(2)連接。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





