[發(fā)明專利]OLED電平指示器件、系統(tǒng)和OLED電平指示器件制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910765813.2
• 申請日: 2019-08-19
• 公開（公告）號: CN110473976B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王江南;翟雪晶;陶培培;史曉波;丁磊
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇集萃有機(jī)光電技術(shù)研究所有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 范彥揚(yáng)

1.一種OLED電平指示器件，其特征在于，包括：

有機(jī)功能層；

位于所述有機(jī)功能層一側(cè)的第一電極層；

位于所述有機(jī)功能層遠(yuǎn)離所述第一電極層一側(cè)的第二電極層；

其中，所述第一電極層的一端設(shè)置有電壓輸入端，所述有機(jī)功能層內(nèi)沿遠(yuǎn)離所述第一電極層的電壓輸入端的方向依次設(shè)置有多個低電阻區(qū)域，所述有機(jī)功能層內(nèi)低電阻區(qū)域的電阻率小于所述有機(jī)功能層內(nèi)其它區(qū)域的電阻率。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED電平指示器件，其特征在于，所述第一電極層具有陽極結(jié)構(gòu)，所述陽極結(jié)構(gòu)包括多個間隔設(shè)置的陽極區(qū)域，各個所述低電阻區(qū)域?qū)?yīng)各所述陽極區(qū)域間隔設(shè)置。

3.如權(quán)利要求2所述的OLED電平指示器件，其特征在于，還包括：

多個輔助電極，各所述輔助電極分別對應(yīng)設(shè)置于所述陽極區(qū)域與有機(jī)功能層之間，所述輔助電極與所述低電阻區(qū)域相互間隔。

4.如權(quán)利要求1所述的OLED電平指示器件，其特征在于，多個所述低電阻區(qū)域連續(xù)不間斷分布。

5.如權(quán)利要求1-4任意一項所述的OLED電平指示器件，其特征在于，還包括：

位于所述第一電極層和所述第二電極層之間且位于遠(yuǎn)離電壓輸入端的一端的絕緣結(jié)構(gòu)層，該絕緣結(jié)構(gòu)層用于防止所述第一電極層和所述第二電極層之間發(fā)生短路。

6.一種OLED電平指示系統(tǒng)，其特征在于，包括處理器和權(quán)利要求1-5任意一項所述的OLED電平指示器件，所述處理器與所述OLED電平指示器件連接，所述OLED電平指示器件根據(jù)電壓輸入端的電壓差控制有機(jī)功能層的發(fā)光區(qū)域的面積。

7.一種OLED電平指示器件制備方法，其特征在于，包括：

在基板上制造陽極結(jié)構(gòu)；

在所述陽極結(jié)構(gòu)上蒸鍍有機(jī)功能層；

在所述有機(jī)功能層上對應(yīng)所述陽極結(jié)構(gòu)蒸鍍低阻形成層；

在所述低阻形成層的表面蒸鍍第二電極層，促使形成包括部分所述有機(jī)功能層和所述低阻形成層的低電阻區(qū)域，所述低電阻區(qū)域的電阻率小于所述有機(jī)功能層的其它區(qū)域的電阻率。

8.如權(quán)利要求7所述的OLED電平指示器件制備方法，其特征在于，所述低阻形成層包括有設(shè)置在所述有機(jī)功能層與所述低阻形成層之間的阻擋層，通過調(diào)節(jié)所述阻擋層的厚度調(diào)節(jié)所述低電阻區(qū)域的電阻。

9.如權(quán)利要求8所述的OLED電平指示器件制備方法，其特征在于，所述低阻形成層的材料為Ag，其蒸鍍速率大于3埃每秒。

10.如權(quán)利要求8所述的OLED電平指示器件制備方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為0.1nm-5nm。