[發明專利]光刻方法和裝置

有效

• 申請號: 201910765186.2
• 申請日: 2019-08-19
• 公開（公告）號: CN110837210B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 游信勝;劉如淦;黃旭霆;林進祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 桑敏

1.一種極紫外光刻(EUVL)方法，包括：

提供具有相同圖案的至少兩個相移掩模區域，其中所述至少兩個相移掩模區域的每個包括第一反射層和位于所述第一反射層上方的第二反射層并且所述第二反射層被圖案化以定義第一狀態和第二狀態，從具有第一狀態的區域反射的光與從具有第二狀態的區域反射的光具有180°相位差；

在襯底上方形成抗蝕劑層；

確定所述抗蝕劑層的最佳曝光劑量；以及

通過多重曝光工藝在所述抗蝕劑層的相同區域上形成潛像，

其中，所述多重曝光工藝包括多個曝光工藝，并且所述多個曝光工藝中的每個曝光工藝使用具有相同圖案的所述至少兩個相移掩模區域中的不同的相移掩模區域。

2.根據權利要求1所述的EUVL方法，其中，所述至少兩個相移掩模區域中的至少一個相移掩模區域包括缺陷。

3.根據權利要求1所述的EUVL方法，其中，所述至少兩個相移掩模區域是來自單個相移掩模的。

4.根據權利要求1所述的EUVL方法，其中，所述至少兩個相移掩模區域是來自至少兩個相移掩模的。

5.根據權利要求1所述的EUVL方法，其中，所述最佳曝光劑量是基于以下曝光劑量的，該曝光劑量針對所述至少兩個相移掩模區域中的一個相移掩模區域上的圖案用于在相應的單個曝光工藝下實現目標尺寸。

6.根據權利要求1所述的EUVL方法，其中，所述多個曝光工藝中的每個曝光工藝的曝光劑量小于所述最佳曝光劑量。

7.根據權利要求1所述的EUVL方法，其中，所述多個曝光工藝中的每個曝光工藝的曝光劑量彼此相等。

8.根據權利要求1所述的EUVL方法，其中，所述多個曝光工藝中的每個曝光工藝的曝光劑量彼此不同。

9.根據權利要求1所述的EUVL方法，其中，所述多個曝光工藝的曝光劑量的總和在所述最佳曝光劑量的90％至110％的范圍內。

10.根據權利要求1所述的EUVL方法，其中，在所述抗蝕劑層的相同區域上形成潛像包括：執行四個曝光工藝，每個曝光工藝使用具有所述相同圖案的不同相移掩模區域。

11.一種光刻裝置，包括：

輻射源；

相移掩模，包括第一掩模區域和第二掩模區域，所述第一掩模區域和所述第二掩模區域具有相同圖案，其中所述第一掩模區域和所述第二掩模區域的每個包括第一反射層和位于所述第一反射層上方的第二反射層并且所述第二反射層被圖案化以定義第一狀態和第二狀態，從具有第一狀態的區域反射的光與從具有第二狀態的區域反射的光具有180°相位差；

掩模臺，被配置為支撐所述相移掩模；

晶圓臺，被配置為支撐晶圓；以及

控制器，

其中，所述控制器被配置為：

確定涂覆在所述晶圓上的抗蝕劑層的最佳曝光劑量；

使用所述相移掩模的所述第一掩模區域來控制將所述抗蝕劑層的第一部分曝光至第一曝光劑量；

控制所述晶圓相對于所述相移掩模的移動；以及

使用所述相移掩模的所述第二掩模區域來控制將所述抗蝕劑層的所述第一部分曝光至第二曝光劑量，并且使用所述相移掩模的所述第一掩模區域來控制將所述抗蝕劑層的第二部分曝光至所述第二曝光劑量。

12.根據權利要求11所述的光刻裝置，其中，所述相移掩模是反射掩模。

13.根據權利要求11所述的光刻裝置，其中，所述輻射源是極紫外輻射源。

14.根據權利要求11所述的光刻裝置，其中，所述相移掩模包括第三掩模區域和第四掩模區域，所述第三掩模區域和所述第四掩模區域具有與所述第一掩模區域或所述第二掩模區域中的圖案相同的圖案。