[發(fā)明專利]監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及監(jiān)測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910764672.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110838459B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王國鴻 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 韓旭;黃艷 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 監(jiān)測(cè) 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種監(jiān)測(cè)系統(tǒng),包括:
一吸座;
多個(gè)溝槽導(dǎo)管,布置圍繞在該吸座上的一標(biāo)稱晶圓位置的一圓周;
一氣源,與所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管流體連通;
一流量監(jiān)測(cè)器,配置以判斷從該氣源至所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管的一單獨(dú)一者的一氣體流量;以及
一處理器,操作地耦接至該流量監(jiān)測(cè)器,
其中每一溝槽導(dǎo)管包括一錐形部分,該錐形部分隨著遠(yuǎn)離該標(biāo)稱晶圓位置的一中心的距離而在面積上變化,
其中該處理器基于從該氣源至所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管的該單獨(dú)一者的該氣體流量而判斷一晶圓偏移。
2.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中該錐形部分沿遠(yuǎn)離該標(biāo)稱晶圓位置的該中心的一最大距離以一曲線布置。
3.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管布置為兩個(gè)同心環(huán),每一環(huán)包括至少兩個(gè)溝槽導(dǎo)管。
4.如權(quán)利要求3所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中該兩個(gè)同心環(huán)的一者包括比另一者更多的溝槽導(dǎo)管。
5.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管布置為一外環(huán)及一內(nèi)環(huán),其中該外環(huán)與該內(nèi)環(huán)同心,且該外環(huán)包括比該內(nèi)環(huán)更多的溝槽導(dǎo)管。
6.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管包括一三角形形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管包括為環(huán)形的至少四個(gè)溝槽導(dǎo)管。
8.一種監(jiān)測(cè)系統(tǒng),包括:
一吸座;
多個(gè)溝槽導(dǎo)管,布置圍繞在該吸座上的一標(biāo)稱晶圓位置的一圓周,其中每一溝槽導(dǎo)管包括一錐形部分,該錐形部分隨著遠(yuǎn)離該標(biāo)稱晶圓位置的一中心的距離而在面積上減小;
一氣源,與所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管流體連通;
一流量監(jiān)測(cè)器,配置以判斷從該氣源至所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管的一單獨(dú)一者的一氣體流量;以及
一處理器,操作地耦接至該流量監(jiān)測(cè)器,
其中該處理器基于從該氣源至所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管的該單獨(dú)一者的該氣體流量而判斷一晶圓偏移。
9.如權(quán)利要求8所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管的邊緣對(duì)準(zhǔn)該標(biāo)稱晶圓位置。
10.如權(quán)利要求8所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中一單一氣源與所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管的每一者流體連通。
11.如權(quán)利要求8所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中該吸座為一靜電吸座。
12.如權(quán)利要求8所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中該錐形部分終止于遠(yuǎn)離該標(biāo)稱晶圓位置的該中心的一最大距離處的一點(diǎn)。
13.如權(quán)利要求8所述的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),其中該氣源包括一氦氣及一氬氣中的至少一者。
14.一種監(jiān)測(cè)方法,包括:
將一晶圓放置在一標(biāo)稱晶圓位置處的一吸座上,其中該吸座包括:
多個(gè)溝槽導(dǎo)管,布置圍繞在該吸座上的該標(biāo)稱晶圓位置的一圓周;以及
一氣源,與所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管流體連通;
基于從該氣源至所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管的一單獨(dú)一者的一氣體流量而判斷一晶圓偏移;以及
基于該晶圓偏移而在該吸座上移動(dòng)該晶圓,
其中每一溝槽導(dǎo)管包括一錐形部分,該錐形部分隨著遠(yuǎn)離該標(biāo)稱晶圓位置的一中心的距離而在面積上變化。
15.如權(quán)利要求14所述的監(jiān)測(cè)方法,還包括:
基于從該氣源至所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管的多個(gè)者的一聚合氣體流量而判斷該晶圓偏移。
16.如權(quán)利要求14所述的監(jiān)測(cè)方法,還包括:
基于從該氣源至所述多個(gè)溝槽導(dǎo)管的該單獨(dú)一者的一氣體流率而判斷該晶圓偏移。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種用于監(jiān)測(cè)站的天氣監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
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