[發明專利]一種真空預清潔裝置及形成方法、真空預清潔裝置的使用方法在審
| 申請號： | 201910763602.5 | 申請日： | 2019-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN110459457A | 公開（公告）日： | 2019-11-15 |
| 發明（設計）人： | 朱曉彤;吳明;林宗賢;郭松輝 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 徐文欣<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 223302江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 吸附板 腔壁 預清潔裝置 擋板 可拆卸連接 承載面 復合層 電源連接結構 表面方向 復合層面 基板表面 臺邊緣 基板 載臺 垂直 | ||
1.一種真空預清潔裝置，其特征在于，包括：
腔壁，與所述腔壁連接的電源連接結構；
載臺，所述載臺具有承載面，所述載臺與所述腔壁固定連接；
位于所述載臺邊緣和所述腔壁之間的擋板，所述擋板分別與所述腔壁和所述載臺可拆卸連接；
吸附板，所述吸附板包括基板和位于基板表面的若干層復合層，且所述若干層復合層沿垂直于吸附板表面方向重疊，所述吸附板與所述擋板可拆卸連接，且所述吸附板的復合層面朝向所述載臺的承載面。
2.如權利要求1所述的真空預清潔裝置，其特征在于，所述單層復合層包括鈍化層和位于鈍化層表面的氧化層；所述鈍化層到所述基板表面的距離小于所述氧化層到所述基板表面的距離。
3.如權利要求2所述的真空預清潔裝置，其特征在于，所述鈍化層的厚度范圍為10nm～500nm；所述氧化層的厚度范圍為30nm～1×105nm。
4.如權利要求3所述的真空預清潔裝置，其特征在于，所述復合層的堆疊次數大于或等于2。
5.如權利要求2所述的真空預清潔裝置，其特征在于，所述鈍化層的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅或氧化鋁；所述氧化層的材料包括氧化硅。
6.如權利要求1所述的真空預清潔裝置，其特征在于，所述吸附板的厚度范圍為1cm～4cm。
7.如權利要求1所述的真空預清潔裝置，其特征在于，所述吸附板的形狀包括弧形。
8.一種形成如權利要求1至7任一項真空預清潔裝置的方法，其特征在于，包括：
提供初始清潔裝置，所述初始清潔裝置包括：腔壁，與所述腔壁連接的電源連接結構；載臺，所述載臺具有承載面，所述載臺與所述腔壁固定連接；位于所述載臺邊緣和所述腔壁之間的擋板，所述擋板分別與所述腔壁和所述載臺可拆卸連接；基板，所述基板與所述擋板可拆卸連接；
在所述基板表面形成若干層復合層，所述若干層復合層面朝向所述載臺的承載面。
9.如權利要求8所述的真空預清潔裝置的形成方法，其特征在于，所述復合層的形成方法包括：在所述基板表面形成鈍化層；在所述鈍化層表面形成氧化層。
10.如權利要求9所述的真空預清潔裝置的形成方法，其特征在于，所述鈍化層的形成方法包括化學氣相沉積工藝或者原子層沉積工藝。
11.如權利要求9所述的真空預清潔裝置的形成方法，其特征在于，所述氧化層的形成工藝包括化學氣相沉積工藝或者原子層沉積工藝。
12.一種使用如權利要求1至7任一項真空預清潔裝置的方法，其特征在于，包括：
提供如權利要求1至7所述真空預清潔裝置；
對所述吸附板進行清潔，去除所述吸附板表面的一層復合層。
13.如權利要求12所述的真空預清潔裝置的使用方法，其特征在于，去除所述復合層的方法包括：去除吸附板表面的氧化層，直至暴露出所述鈍化層；去除所述暴露出的鈍化層，直至暴露出下一層復合層。
14.如權利要求13所述的真空預清潔裝置的使用方法，其特征在于，去除所述氧化層的工藝包括濕法刻蝕工藝。
15.如權利要求13所述的真空預清潔裝置的使用方法，其特征在于，去除所述鈍化層的工藝包括濕法刻蝕工藝。
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