[發明專利]一種晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法有效
| 申請號： | 201910762878.1 | 申請日： | 2019-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN110473798B | 公開（公告）日： | 2021-10-19 |
| 發明（設計）人： | 胡向華;王高宇;何廣智;顧曉芳;倪棋梁 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 尺寸 缺陷 檢測 方法 | ||
1.一種晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：
步驟一、提供表面具有膜層的基底，所述膜層上表面具有造成所述膜層表面異常的超小尺寸缺陷；
步驟二、在所述膜層上表面形成光阻層，之后對該光阻層進行曝光和顯影，形成帶有圖形缺陷的光阻圖形；
步驟三、按照所述光阻圖形刻蝕所述膜層，形成帶有放大缺陷的膜層圖形；
步驟四、使用缺陷掃描機掃描所述膜層圖形，捕捉所述放大缺陷。
2.根據權利要求1所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：步驟一中所述超小尺寸缺陷的尺寸為0.01μm～0.2μm。
3.根據權利要求1所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：步驟二中對所述光阻層曝光采用顯影失焦原理形成放大的所述圖形缺陷。
4.根據權利要求1所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：步驟二中對所述光阻層曝光使用重復單元的光罩圖形。
5.根據權利要求4所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：曝光所用光罩中的重復單元包括寬度和間隔相同的數個條形圖形。
6.根據權利要求1所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：步驟二中在所述膜層上表面形成的光阻層為正膠。
7.根據權利要求1所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：步驟二中在所述膜層上表面形成的光阻層為負膠。
8.根據權利要求1所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：步驟三中對所述膜層進行刻蝕后還包括去除所述膜層表面的剩余光阻。
9.根據權利要求8所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：去除所述膜層表面的剩余光阻的方法為濕法去除。
10.根據權利要求8所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：去除所述膜層表面的剩余光阻的方法為干法去除。
11.根據權利要求1所述的晶圓表面超小尺寸缺陷檢測方法，其特征在于：放大缺陷的尺寸為所述超小尺寸缺陷的3倍。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
